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基于新型1200V 碳化硅(SiC)MOSFET 的三相双向逆变器的研究

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  • 更新日期:2018-06-04 15:41:44
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研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅(SiC)MOSFET 三相双向逆变器,由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
 
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