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一种新型的大功率半绝缘GaAs光导开关试验研究

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  • 更新日期:2020-01-07 10:22:23
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详细介绍
本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关,开关由0.6mm 厚的半绝缘GaAs材料制作,电极间隙为10mm,开关电极面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关,在直流电压6kV时,通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω。
 
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