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EMI滤波器与反激变压器的磁场耦合研究

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  • 更新日期:2017-08-03 14:45
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详细介绍
本文主要对EMI滤波器与主电路的磁场耦合进行研究,以带有C-L滤波器的flyback电路为研究对象,分别对EMI滤波器、滤波器电容和滤波器共模扼流圈与主电路中的反激变压器的磁场耦合进行分析研究,并通过分析反激变换器的等效差模EMI电路图,判断电容与反激变换器的耦合类型。随着电力电子技术的发展,小体积、高频率、高功率密度的功率转换器被广泛应用。功率变换器体积的减小增加了元器件之间的近场耦合,为了改善功率变换器的EMI性能,有必要对其近场耦合进行研究分析。
目前,近场耦合的研究多数集中在对EMI滤波器内部元件间耦合的研究上[1]-[3],通过改变EMI滤波器元件间的布局来优化EMI滤波器的滤波性能,而很少对EMI滤波器与主电路间的耦合进行分析。本文以65W的电源适配器(flyback电路)为研究对象,分别将EMI滤波器、共模扼流圈和X电容调到PCB板的背面,并测试适配器的EMI噪声。根据测得的EMI噪声频谱图对EMI滤波器与反激变压器间、共模扼流圈和反激变压器以及X电容与反激变压器间的耦合情况进行分析。可以得到如下结论:EMI滤波器与反激变压器间的耦合主要是电容与反激变压器间的耦合,此耦合主要影响差模EMI噪声,频率段在2M—10M,该耦合对共模EMI噪声几乎没有影响,故在本文中重点研究差模EMI噪声。本文还利用差模EMI噪声等效电路判断出电容与反激变压器间的耦合类型,并利用居里称定律[5],调整X电容与变压器间的角度,比较不同布局的EMI噪声,找到最优的布局。

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