钴基合金镀层具有电阻率较高，高频损耗较小，生产工艺简单的优点，已广泛应用于电脑硬盘及其他磁记录器件。化学镀钴层的最大特点是具有很强的磁性，且在不同的钴层厚度和不同镀覆条件下均无多大变化。镀层中磷含量对镀层具有很大的影响。巨磁阻抗效应（GMI）灵敏度高、饱和磁场低、无磁滞、响应快和稳定性好等优点使GMI效应在磁传感器及磁记录等领域有巨大的应用前景[1,2]。作为高密度、高容量的磁性记录介质，钴基合金镀层具有电阻率较高，高频损耗较小，生产工艺简单的优点，已广泛应用于电脑硬盘及其他磁记录器件。现在常用溅射方法制备高记录密度的磁性薄膜介质，也采用电镀或化学镀的方法获取磁性镀层[3]。传统钴基非晶软磁合金主要由Co、Fe、Ni、Si、B和Mo等元素组成，目前较成熟的钴基合金体系主要有CoFeNiSiB、CoFeSiB、CoFeMoNiSiB、CoFeCrSiB和CoFeNbSiB等[4]。Co-P合金镀层具有良好的磁学性能。近年来，电子工业的迅速发展使得这方面的研究受到人们的广泛重视。对镀层的结构、成分与沉积条件的关系、非晶态的生成条件及影响因素等方面已经有了一定的研究。非晶钴磷镀层软磁性能优良[5]。
非晶钴基合金软磁性能优良,且与铁镍软磁合金相比较有韧性,有人在铜丝上包覆Co90P10软磁合金,制备出Co90P10-Cu复合丝,并对其磁畴结构、巨磁阻抗的磁场响应进行了详细的研究。CoP合金镀层磁性应受合金成分及结构的影响[6]。
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