本文研究了片上电感工艺参数的影响，利用MATLAB仿真仿真了片上电感的特性。所有的电感均采用标准的具有金属层的硅工艺进行制造。只有当技术参数（例如顶部金属和衬底之间的金属导电率、金属厚度、氧化物厚度，以及电感上衬底的导电率，品质因数和自谐振频率）一起使用时，仿真结果才是准确的。有人可能需要协助满足设计人员对小尺寸和低成本的需求，这是在硅射频集成电路中使用片上电感器件的可能性。片上电感在阻抗匹配、调谐和滤波中扮演重要角色。硅片面积消耗量是限制其使用的其中一个原因。整体晶片尺寸是生产成本的直接驱动因素。然而，工艺技术的不断进步，例如提供更厚和更高导电率的金属，更厚和更低的介电常数介电层，以及更低导电率的衬底，将使得高质量片上无源器件更容易获得。已经有了许多片式电感器的设计和分析技术研究，以将性能与工艺参数相关联。
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