锐骏半导体推出MOSFET封装新工艺
2017-07-18 15:09:00
来源：锐骏半导体
著名的电源半导体技术公司 深圳市锐骏半导体有限公司 最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。
通常TO220封装有全塑封和半包金属封装两个规格。
金属封装有一片裸露的金属基导框架外漏，可以方便器件固定，扩大连接散热器，金属基导本身也是散热器，在热量不是很高的情况下使用。封装能大幅提升电源有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求更高的电路，扩展散热器面积很有效。缺点是散热片与器件漏极相连，与其它器件触碰时需要绝缘处理。
TO220-F塑封形式，内部框架、芯片、焊片全部被一体包封住，与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂，这种高级环氧材料具有非常好的抗热性，防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。 缺点是降低了管子散热性能。
有些时候需要多颗MOS、肖特基、整流管一起使用，同在一片散热器上，不是都能塑封或者塑封可以承担得了散热，这里需要加装绝缘片和胶粒固定。如图上。
锐骏半导体TO220-R3结构采用高导热材料内部绝缘，具有相当金属封装优异的散热性能同时兼顾结缘性能，安装使用方便，提高了生产效率，减少结缘成本。
耐温>150℃，不会因绝缘胶粒耐温度低会融化，耐压>2000V，做到多颗管子相互可靠的绝缘，散热器安全可靠的接地而不受影响。下图是应用案例。广泛应用在电动车、电源等高压驱动期间中，有逐步取代革新现有封装形式的趋势。并获得国家发明专利。
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