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大联大品佳集团推出基于 NXP 和 Infineon 产品的快速充电解决方案

2017-12-27 10:02:59 来源:21Dianyuan

【大比特导读】2017年12月26日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)和英飞凌(Infineon)产品的快速充电解决方案。

2017年12月26日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)和英飞凌(Infineon)产品的快速充电解决方案。

随着快充电源的普及,享受了快充的便捷之后,用户们开始逐渐摈弃普通速度充电的电源,无线充电大规模应用的趋势已经十分明显。大联大品佳此次推出的 NXP 和 Infineon 快速充电方案包括:

1. TEA1901SCP 直接充电接口控制器/TEA1905x USB-PD/Quick Charge 接口控制器---它是市场上率先将 USB PD3.0 和 Quick Charge2.0、3.0 组合在一起的产品之一。其可与 TEA1936x 和 TEA199x 配合使用,通过小型手机壁式充电器提供高能效,采用行业最新的接口协议,而无需使用复杂的技术。TEA1901SCP 直接充电接口控制器结合了各种先进的快速充电协议,为电池和系统提供广泛的电压和电流调节回路与保护。

2. Infineon BSZ086P03N3C MOSFET,这款 Infineon的OptiMOS™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和eMobility。

3. Infineon 的 IPAN65R650CE 是 650V,650mΩ,10.1A,N 沟道功率 MOSFET,它属于 Infineon 的 CoolMOS™ CE 高压功率 MOSFET 的技术平台,根据超结原理(SJ)设计,旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大,英飞凌推出了 500V、600V、650V、700V、800V 和 900V 的高压 MOSFET。

方案特色

• TEA1901x 提供最好的安全性,归功于广泛设置了保护功能覆盖多于10次失效情况下不需要额外的光电控制器;

• 快速电缆分离检测,以避免电弧;

• 过温保护(OTP);

• 内部充电器温度的片上温度传感器;

• 多达2个 NTC ADC 测量电缆接头温度;

• 自适应过电压保护(AOVP);

• 自适应欠电压保护(auvp);

• 输出短路保护(SCP);

• VCC 到 SW(门漏端口开关)短保护;

• 开放地保护;

• 打开 VCC 检测。

大联大品佳集团推出基于 NXP 和 Infineon 产品的快速充电解决方案

图示1-大联大品佳推出的基于 NXP 和 Infineon 产品的快速充电解决方案系统方案图

规格说明

• 支持 SCP 直接充电协议(HI 模式,高压可选);

• 准确的二次侧电压和电流的测量和报告;

• 集成客户电缆 e-marker 检测是否出现在 USB 连接器;

• 集成低成本的外部元件端口开关驱动器;

• 两 NTC ADC 监测连接器和适配器的温度与 OTP 保护、检测交流电源断开;

• 宽 VCC 和 VBUS 操作范围(3V 至 20V)和内置的 LDO;

• 主要功能用户可通过 D+D- 引脚和存储在 MTP 的记忆;

• 编程 CV 模式内置反馈电路和+/-1%的精度;

• 编程 CC 模式与外部检测电阻器和+/-100ma 精度。

大联大品佳集团推出基于 NXP 和 Infineon 产品的快速充电解决方案

图示2-大联大品佳推出的基于 NXP 和 Infineon 产品的快速充电解决方案之规格说明

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

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