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Micro LED前瞻技术:无需巨量转移的量产技术

2018-11-09 15:11:05 来源:LEDinside 点击:466

【大比特导读】巨量转移是Micro LED显示屏幕技术中最大的技术瓶颈之一。业界目前正如火如荼地发展相关技术,希望能尽快突破阻碍,推动Micro LED的商业化。

巨量转移是Micro LED显示屏幕技术中最大的技术瓶颈之一。业界目前正如火如荼地发展相关技术,希望能尽快突破阻碍,推动Micro LED的商业化。在此次的Micro LED前瞻技术征文比赛中,巨量转移技术也是许多参赛文章的关注重点。

其中由柯全先生Thomas Q. Ke的研究论文提出无需巨量转移的Micro LED量产方式。该论文指出,借由重新设计Micro LED的制造过程并运用现有技术,就能有效率避开耗时费工的巨量转移制程。论文提出的方法是,将Micro LED保留在磊晶基板上,移除3/4的Micro LED晶圆,用PI填平开孔,再在驱动电路制作于保留下来的1/4 LED旁。透过此方法,不需要巨量转移制程也能制作出RGB Micro LED显示屏幕。

显示屏

参与此次论文征集的评审指出,将驱动电路整合在Micro LED晶圆片上的技术方法,与Lumiode, eMagin, NthDegree, OSRAM等公司的技术类似。除了制程跟材料以外,此论文提出的方案跟其他技术最大的差异在于舍弃了3/4的LED晶圆材料,并由多出来的空间来换取RGB交错排列跟驱动电路的摆放位置。

为了要节省巨量转移可能造成的大量成本跟时间,此篇研究论文选择用材料的成本交换。这样的技术取向在巨量转移技术尚未发产成熟前,或许能够在量产上取得优势。然而,一旦巨量转移的技术改善且成本逐渐降低,降到低于材料成本的四倍时,此方法便不再具有优势。

原文:https://p.ledinside.com/led/2018-11/1541671675_81078.pdf

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

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