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Intel、三星与美光的次世代存储器,可望在明年打入市场

2019-05-22 17:16:11 来源:国际电子商情 点击:780

【大比特导读】不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。

不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。

为了在有限甚至不改变现有平台架构的前提下找到新的解决方案,Intel Optane等次世代存储器近年来广受讨论。

存储器

TrendForce旗下的半导体研究中心(DRAMeXchange)认为,次世代存储器与现有解决方案各有优劣,最关键的机会点仍是在于价格。TrendForce还表示,目前包含Intel、三星与美光等存储器厂商皆已投入次世代存储器解决方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。

以Intel为例,Optane是以3DxPoint为设计基础的服务器类产品,由于现在已经推出与市面上服务器模组能够完全兼容的DIMM。对主机板设计厂而言,同样的插槽可以依据整机成本的考量,自由更换服务器存储器模组或Optane解决方案。

然而,由于次世代存储器尚未规模化与标准化,因此成本较高,所以厂商目前几乎都锁定在资料中心等特殊应用,尤其是超大规模资料中心拥有相对高程度的客制化设计,可以针对不同存储器规划新的配置。

近年来由于智能终端装置的普及加上人工智能技术逐渐成熟,使得大部分应用服务皆借由服务器来进行整合,尤其是需要倚赖庞大数据进行运算与训练的应用服务。此外,伴随着虚拟化平台及云储存技术的发展,服务器需求与日俱增,同时也带动超大规模资料中心(hyperscale datacenter)的成长。

根据TrendForce调查显示,全球超大规模资料中心的建置数量将于2025年预计达1,070座,2016年至2025年CAGR达13.7%。

存储器价格可望在2020年止跌反弹

从市场面来看,DRAM与NAND目前皆处于供过于求的状态,使得现有存储器解决方案价格仍维持在低点。

以DRAM来说,价格持续下跌基本上是受到服务器与智能手机需求下滑的影响,从而导致消耗量急冻与库存攀高;而NAND则是因为竞争者众多,而陷入市占争夺的状态,且由2D NAND转向不同程度的3D

NAND造成供给位元大幅度增长。综合以上所述,2019年的DRAM与NAND价格同时快速滑落,而且NAND的价格正逐渐逼近厂商的现金成本。

现有存储器解决方案价格越来越便宜,对次世代存储器来说并非最好的切入点,但展望未来,需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能,可望带动2020年的存储器价格止跌反弹,让次世代解决方案有机会打入市场。TrendForce认为,市场在未来的几年间,将会在特殊领域当中逐渐增加次世代存储器的考量与运用,成为现有解决方案的另一个新选项。

 

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本文由大比特商务网收集整理(www.big-bit.com)

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