广告
广告
您的位置 资讯中心 > 技术文献 > 正文

大红大紫的IGBT持续疯涨,2021年有望突破52亿美元

2019-06-21 13:44:59 来源: 集邦咨询 点击:1263

【大比特导读】TrendForce报告指出,电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两倍。

TrendForce报告指出,电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两倍。

 

 

集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,除了电池与发动机外,电动汽车关键零组件以IGBT功率元件最为重要,其使用量约为传统内燃机引擎汽车的5至10倍之多,因此电动汽车的发展将带动IGBT市场总值持续成长,预估2021年IGBT的市场总值将突破52亿美元。

集邦咨询分析师徐韶甫指出,电动汽车使用到IGBT的装置主要有五项(包含逆变器、直流/交流电变流器、车载充电器、电力监控系统以及其他附属系统),其中,逆变器、直流/交流电变流器以及车载充电器对电动汽车性能表现影响最为关键。

在配合高电压高功率的工作条件下,功率元件的采用需替换成IGBT元件或IGBT模块,对IGBT元件的需求量最大;而电力监控系统与其他附属装置如水帮浦、空调压缩机等在设计上虽然与过往差异不大,但由于输入电源变更为高电压的车用电池,因此承受电力的功率元件也需更改为适合高电压工作范围的IGBT功率元件,这也提升了IGBT市场需求。

就供应链来看,电动汽车IGBT元件的主要IDM供应商为Infineon、ON Semiconductor、Fuji Electronic、STMicroelectronics、DENSO、比亚迪等。其中Infineon在整体IGBT市场市占率达三成居于首位,提供IGBT元件与IGBT模块;DENSO与比亚迪虽为汽车制造商,但对于电动汽车使用的IGBT元件也有自行设计制造的能力,是少数从汽车制造跨足半导体领域的厂商。

另外,由IDM厂委外代工IGBT组件供应链包含晶圆代工厂世界先进、茂矽等台系厂商,中芯、华虹半导体等陆系大厂则供应其国内需求。在电动汽车IGBT模块部分,有Mitsubishi、SEMIKRON、Danfoss、CRRC等专门从事IGBT模块化供应给客户。

根据集邦咨询的统计,2016年至2018年,电动汽车数量年成长率分别为28%、29%、27%(2015年以前的年成长率仅个位数),同时也推升IGBT总值大幅成长,2018年全球IGBT市场总市值规模约47亿美元,年成长率达16%。

然而,当前美中贸易谈判陷入僵局、美墨边境因非法移民问题也陷入关税纷争、英国脱欧以及中东局势的不稳定等因素也将提高全球市场经济下行的风险,进而导致全球汽车销售持续放缓,加上全球电动汽车最大单一市场的中国车市销售表现不如预期,恐将影响2019年下半年的电动车销售状况,进而冲击IGBT市场总值成长表现。预估2019年IGBT总值将达48.4亿美元,仅较2018年小幅成长约3%。

 

声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。

分享到:
阅读延展
IGBT 电动汽车
  • 宽禁带使太阳能前景广阔

    宽禁带使太阳能前景广阔

    太阳能发电的发展有巨大的市场机会,目前各国政府正在制定政策刺激太阳能增长,而宽禁带技术对未来的太阳能发电系统至关重要,电源转换器最重要的元件开关器件如 MOSFET、IGBT 和二极管,通常由硅制成。

  • 不同工作模式下的IGBT模块瞬态热特性退化分析

    不同工作模式下的IGBT模块瞬态热特性退化分析

    目前光伏发电是未来发展中最有潜力的可再生能源,而河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室的研究人员发现,计了动态实验,对不同的工作模式下IGBT模块的退化进行了研究,并得到了不同状态下模块的退化特性。

  • ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

    ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

    与IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一种能够显著降低损耗的半导体,在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。

  • 三相无刷直流电机的基本操作原理

    三相无刷直流电机的基本操作原理

    现代电机设计采用固态开关,如MOSFET或IGBT,这取决于与继电器相比时电机的速率和电压。此外,还必须考虑成本、可靠性和尺寸。开关电流产生适当的磁场极性,可吸引相反极性,排斥相同极性。

  • 东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

    东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

    目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。

  • Power Integrations推出简单易用的SCALE-2即插即用型门极驱动器,新产品适用于压接式IGBT模块

    Power Integrations推出简单易用的SCALE-2即插即用型门极驱动器,新产品适用于压接式IGBT模块

    美国加利福尼亚州圣何塞,2020年3月3日 – 中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器,新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit © 2019-2029 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有       未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任