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英国硅基氮化镓专家开发一种显示屏可用于可穿戴AR/VR设备
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英国硅基氮化镓专家开发一种显示屏可用于可穿戴AR/VR设备

2019-09-29 09:32:16 来源:慧聪LED屏网 点击:1505

【哔哥哔特导读】2019年3月,该企业公布选用本来传出欧度的硅基氮化镓开发设计出纯天然翠绿色LED。纯天然翠绿色LED是由GaN-on-Si外加生长发育加工工艺产生,与纯天然深蓝色LED相近,关键差别取决于LED的量子阱构造中的铟含水量。

随之很多生产商开发设计优秀显示信息商品和技术性解决方法,小间隔显示屏已经变成控制面板销售市场的发展趋向。

美国硅基氮化镓(GaN-on-Si)权威专家Plessey公布开发设计了1个打破记录的2.5μm超高像素Micro LED显示屏,用以可配戴AR/VR机器设备。

Plessey始终着眼于将Micro LED技术性导进AR/VR显示信息运用,此次选用了其特有的片式集成化硅基氮化镓技术性,在2.5μm间隔上造就了超细致、超高像素(2000×2000)的显示屏,具有亮度高和高对比度等优势,且在户外自然环境下收看舒服。对比传统式 LCOS 或 DLP 显示屏,这款Micro LED显示屏仅耗费20%的动能。

图片来源: Plessey

据统计,硅基氮化镓技术性具有许多优势。如:硅衬底的低传热系数性提升了热获取高效率,进而减少结温,提高可信性。该技术性可出示非凡的能耗等级、高像素及没法跨越的饱和度。以其与规模性硅集成电路工艺类似,硅基氮化镓技术性能够拓展到慢慢扩大的圆晶,改进成本费、提升完整性和合格率。

实际上,Plessey已根据片式集成化Micro LED技术性得到了其他技术性攻克。

2019年3月,该企业公布选用本来传出欧度的硅基氮化镓开发设计出纯天然翠绿色LED。纯天然翠绿色LED是由GaN-on-Si外加生长发育加工工艺产生,与纯天然深蓝色LED相近,关键差别取决于LED的量子阱构造中的铟含水量。

5月,Plessey在2019年 SID Display Week上展览了首 个片式集成化硅基氮化镓Micro LED显示屏,由间隔8μm的纯色高清(1920x1080)电流量驱动器清晰度列阵构成。

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