2019年全球半导体的不景气现象被产业界誉为“下行之年”，例如有受全球贸易波动、半导体元器件产品价格下滑、智能手机市场逐渐饱和等因素影响，全球半导体行业增速放慢，但进入二十一世纪二十年代后将会出现转机，在全新化合物半导体供应链的驱动下，半导体产业可迎来全新的发展周期。

据数据显示，化合物半导体2019年全球的产值约为370亿美元，约占整体半导体4500亿美元产值的8%，这其中就包括了LED照明、微波功率放大器(PA)、高功率半导体元件等。由于5G网络通信、3D人脸识别、激光雷达传感器、电动车、物联网、智能应用以及终端显示屏Micro LED的推波助澜之下，未来化合物半导体每年的成长率将在8%至10%，高于整体产业的平均值，所以化合物半导体产业是一个值得重视的成长领域。

日前，日本NTT集团旗下的实验室研发了磷化锢(InP)化合物半导体制造的6G超高速芯片。据悉，该芯片在高速率表现中，仅以单一载波完成，意味着未来持续增加载波聚合数量的话，将能实现更高的传输速度，借此让6G网络传输速度与可使用频宽可达5G网络的40倍以上。当然，目前仍是从普及5G服务的层面出发，关于6G更多只是愿景阶段，毕竟各国对于5G之后的6G是什么样子都没摸清楚。

由此可见，化合物半导体是当今推动人类网络通信技术进步的关键基础，化合物半导体一般包括有砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等，这些材料具有独特的特征，能够在网络通信和功率器件市场拥有无可比拟的优势，也会被越来越多的器件和产品所采用。

对此，国内亦都有半导体厂商在化合物半导体领域布局生产，其中包括有士兰微、三安光电、中芯晶研等多个企业。

日前，士兰微旗下的化合物半导体生产线项目主体厂房即将进入竣工验收阶段，砷化镓与氮化镓芯片产品都正式通线点亮。据资料显示，项目总投资50亿元，规划建设两条12英寸90~65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线。主要产品包括下一代光通讯模块芯片、5G与射频相关模块、高端LED芯片等产品。

三安光电方面，作为国内化合物半导体晶圆代工的龙头企业，早在2014年5月起，就正式涉足该领域，并同期实施建设30万片/年砷化镓(GaAs)和 6 万片/年氮化镓(GaN) 外延片生产线。

由于这些厂商过往都有LED芯片相关的产品经验，所以能够使投资者对其在化合物半导体的市场开拓提供信心支撑。

另外，再结合中美贸易战的情况来看，一旦上游供应链禁售，就能让国内相关市场发展受到严重损伤，特别是目前化合物方面仍缺乏补充的状态下，所以尽力发展本土供应链已经成为迫在眉睫的事情。