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英国科学家正研发一种新式的“内存”芯片

2020-02-21 15:07:11 来源:快科技 点击:1063

【大比特导读】此前外国媒体报道称,英国的科学研究工作人员找到一种新式的“内存”,这类新材料做成的内存芯片具有三大特性——超低能耗、写入不毁坏数据、非易失性。

2020 年美光三星等企业会发布新一代的DDR5内存,最高速度达到 6400 Mbps,将逐渐替代DDR4 内存。

如今的DRAM内存技术还要更新,可是技术性短板也逐步显著,科学研究工作人员已经在找寻新的内存取代技术,英国就找到新方位——全新升级内存延迟可低至10 ns ,功耗仅为现在的1%。

内存芯片

很多年来大家一直在寻找极致的内存芯片,它既需要低延迟、高带宽 ,还要功耗低(不用经常更新),另外还得容量大,低成本,更关键的是具有关闭电源不损害数据的功能,能够说成是NAND闪存及DRAM内存的完美体。

那么多需求,做起来可真的不容易,Intel的傲腾内存是根据PCM相变内存技术的,在可信度、延迟等难题上早已大幅度领跑如今的闪存,更贴近DRAM内存芯片了,但是跨越内存还达不上。

此前外国媒体报道称,英国的科学研究工作人员找到一种新式的“内存”,它应用的是III -V族原材料,主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝 ,用这种原材料做成的NVDRAM非易失性内存具有出色的功能,在一样的性能下电源开关能量足足低了100 倍,换句话说功耗只有目前DRAM内存的1%,另外延迟还可低至10 ns 。

总而言之,这类新材料做成的内存芯片具有三大特性——超低能耗、写入不毁坏数据、非易失性,其性能对比 如今的DRAM内存反而没多少提高,10 ns 级別的延迟跟DDR4内存类似,可是上边三条特性,特别是非易失性就足够让“内存”改革了。

但是也无法开心过早,英国产品研发工作人员如今仅仅找到新一代III -V原材料内存的基础理论方位,真正大规模性生产制造这类内存还是很困难的事,就好像传了好长时间的MRAM、PCM、RRAM芯片一样 。

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