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SiC MOSFET系统振荡与降低损耗的权衡

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  • 更新日期:2020-11-03 09:53:29
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详细介绍
SiC MOSFET 的出现使大功率快速电力电子设备成为可能。然而,由于系统寄生参数影响以及控制板输出信号不可靠的原因,在高速开关过程中系统会出现剧烈振荡现象。本文通过实验得到了两种抑制剧烈振荡的方法。其中,在主回路中加入铁氧体磁珠的方法获得了振荡与损耗的较好权衡。
 
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