目前，绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的电力半导体器件，已占领了诸多应用领域。特别是具有场阻止层的IGBT（FS-IGBT），其电压等级覆盖了600V~6.5kV 范围[1]，为IGBT提供了更宽广的应用领域。采用FS-IGBT可以获得良好的正向阻断特性、导通特性及开关特性。但当IGBT应用在矩阵变流器、电流型逆变器及交流开关等场合，其反向阻断电压也尤为重要[2]。由于J1结两侧透明阳极和场阻止层的浓度较高，导致其反向击穿电压很小，在这些应用中很容易损坏IGBT。
常规FS层多采用磷离子（P+）注入及随后高温推进形成，高斯掺杂分布较缓，次表面浓度较高，很难提高反向击穿电压。所以，有必要对FS层的掺杂分布进行研究。本文基于氢离子(H+)注入工艺形成的隐埋型FS层，利用Sentaurus-TCAD软件，研究了器件的工作机理，分析了这种隐埋型FS层的峰值浓度和深度变化对FS-IGBT特性的影响，并与常规型FS-IGBT的特性进行了对比。
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