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功率变换器高频磁元件用铁氧体材料

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更新日期：2022-01-06 09:51
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详细介绍

本文分析了半导体的发展和宽禁带(WBG)半导体的应用，从宽禁带(WBG)半导体应用中所需的功率变换器高频磁元件分析了高频铁氧体材料的发展前景、产业化和应用现状。介绍了JCP96、JCP51、JCP61高频铁氧体材料性能及其研发和工艺技术要点。

随着电子信息技术及新能源产业的快速发展，对功率变换器追求更高能效、更高集成度和更高可靠性的方案。在一些高增长的领域同时也是科技领先的领域，如电动汽车(EV)及其充电桩、5G基站、高铁、数据中心、太阳能逆变器等，需要更高密度功率转换器。常规硅（Si）半导体的功率变换器效率较低，采用宽禁带(WBG，指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料)电源半导体器件其频率更高，效率可达到99%，已进入研发和使用，并处于迅速上升趋势，未来几年，新基建、新能源市场将以70%的复合增长率快速增长^[1]。

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