GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅（SiC）一起被成为“第三代半导体材料”，而第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景，成为全球半导体市场争夺的焦点。
与GaN相比，实际上同为第三代半导体材料的SiC的应用研究起步更早，而之所以GaN近年来更为抢眼，主要的原因有两点：第一，GaN在降低成本方面显示出了更强的潜力，目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，以替代昂贵的SiC衬底；第二，由于GaN器件是个平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。
氮化镓（GaN）具有更高的击穿电压(使用GaN时大于200V)，能够承受高的输入/输出错配(通常＞15：1VSWR)，具有更高的结温，平均无故障时间为一百万个小时。此外，它还具有热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。
相较于传统的硅基半导体，GaN材料能够提供显著的优势来支持功率应用，这些优势包括在更高功率获取更大的节能效益，以致寄生功耗大幅降低；GaN材料也容许更多精简元件的设计以支持更小的尺寸外观。这与半导体行业一贯的“调性”是吻合的。
GaN首先从上世纪90年代开始在LED领域大放异彩，自20世纪初以来，GaN器件已经逐步商业化。2010年，第一个GaN功率器件由IR投入市场，自商用功率GaN器件首次发布以来，越来越多的企业进入该产业链。
GaN材料通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。具体而言，微波射频方向包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了LED、激光器、光电探测器等应用。
