用于GHZ级硅集成电感器的CoZrNb类磁膜的制造及高频性能
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- 更新日期:2014-02-19 21:28:31
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详细介绍
这里介绍的动态溅射磁膜的技术是根据沉积过程中基片载具连续地移动设计的。从器件的性能及其可靠性而言,采用这项技术可以获得优良高频低损耗性能的CoZrNb基磁膜材料。其高频性能是建立在FMR本征频率升至2.6GHz时具有大的HK值(75oe)基础上的。这个HK值比在磁场中使用的常规静态沉积磁膜的HK值大得多:对相同成分
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