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驱动参数对 IGBT 开关性能的影响

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  • 更新日期:2018-02-07 15:02
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详细介绍
对于电压型驱动器件的 IGBT 而言,主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数。本文主要是探讨这些参数如何影响IGBT开关性能,由此选择出合适的驱动参数,从而优化IGBT开关性能。如今,IGBT 已被广泛应用于工业电源领域。与 MOSFET 相同,它也是一种压控型器件。其开关性能可通过 IGBT 驱动设置加以控制或影响。优化 IGBT 开关性能对于系统设计而言十分重要,因为不同的开关损耗会影响散热设计和IGBT 使用寿命,而且如果驱动参数配置的不好会导致IGBT 超过安全工作限值,使器件失效。
IGBT 的栅极驱动电路看似很简单,就是一个电压源和一个栅极电阻。通过改变栅极电阻值,可以影响 IGBT 开关性能。但在现实系统应用中,会有许多杂散因素有意或无意地产生,比如电压支撑电容到功率放大电路之间的杂散电感(Lb)、栅极线缆电感(Lc)、芯片至辅助发射极的杂散电感(Le)和外置栅极电容(Cge)等等,就如图 1 所示的那样。所以实际的 IGBT 栅极回路非常复杂,仅利用一个简单的电压源及栅极电阻是无法完全说明驱动参数对IGBT开关性能的影响的。





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