晶圆的定义

晶圆就是指硅半导体集成电路制作常用的硅晶片，因为其外形为园形，故称之为晶圆;在硅晶片上可生产加工制作成各种各样的电路元件构造，而变成有特定电性功能的IC 商品。晶圆的原材料是硅，而地球表层有用不完的二氧化硅。

晶圆的生产制造过程

晶圆是生产制造半导体芯片的基本原材料，半导体集成电路最关键的原料是硅，所以相匹配的便是硅晶圆。

硅在大自然中以硅酸盐或二氧化硅的方式普遍存于岩石、沙砾中，硅晶圆的生产制造能够梳理为三个基础流程：硅提炼出来及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。

刚开始是硅提纯，将料石原料放进一个温度约为2000 ℃，而且有碳源存在的电孤溶炉中，在超高温下，碳和料石中的二氧化硅开展化学反应(碳与氧融合，剩下硅)，获得纯度约为98 %的纯硅，别称为冶金级硅，这对微电子器件而言纯度还不够，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度十分敏感，因而需要对冶金级硅开展进一步提纯：将破碎的冶金级硅与气态的氯化氢开展化学反应，转化成液体的硅烷，随后再经过蒸馏和化学还原工艺，获得了高纯度的多晶硅，它的纯度可以达到99 .999999999%，最后变成电子级硅。

然后就是单晶硅生长了，最常见的方法叫直拉法。高纯度的多晶硅放到石英坩埚中，并且需要用围绕在石英坩埚周边的石墨加热器持续加温，温度保持在1400 ℃左右，石英坩埚中的气体一般是惰性气体，可以使多晶硅熔化，而且不会发生不需要的化学反应。为了能够形成单晶硅，我们还必须操纵晶体的方向：坩埚带着多晶硅融化物在转动，把一颗籽晶渗入其中，而且由制动棒带着籽晶作反向转动，另外慢慢地、垂直地由硅熔化物中往上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底部，按籽晶晶格排序的方向不断生长上来。因而所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的，在其被拖出和冷却后就生长变成与籽晶内部晶格方向一样的单晶硅棒。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的规格开展切割，随后开展研磨，将凹凸不平的切痕磨去，再用化学机械抛光工艺让它有一面光滑如镜，晶圆片生产制造就大功告成了。

单晶硅棒的直径是由籽晶拖出的速率和转动速率决定的，一般来说，上拽速度 越慢，生长的单晶硅棒直径就越大。而切出来的晶圆片的厚度跟它的直径相关，尽管半导体器件的制备只在晶圆的顶端几微米的范围内完成，可是晶圆的厚度一般都要做到1毫米，才可以确保有充足的机械应力支撑，所以晶圆的厚度会随它的直径的变大而变大。

晶圆制造厂家把这些多晶硅溶化，再在融液里种入籽晶，随后将其慢慢地拉出，以形成圆柱型的单晶硅棒，因为硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中慢慢转化生成，这个过程被称之为“长晶”。硅晶棒再历过切段，滚磨，切成片，倒角，打磨抛光，激光刻，包裝后，就变成集成电路工厂的原料——硅晶圆片，它就是“晶圆”。

晶圆的基本原料

硅是由石英砂所精炼出来的，晶圆就是硅元素加以提纯(99 .999 %)，然后是将这种纯硅做成硅晶棒，变成生产制造集成电路的石英半导体的原材料，再经过照相制版，研磨，打磨抛光，切成片等流程，将多晶硅溶化再拉出单晶硅晶棒，随后切成一片又一片薄薄的晶圆。

硅片的界定

硅片是用来制作晶体管和集成电路的原材料。普遍都是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的关键原材料，根据对硅片开展光刻、离子注入等方式，才能够制成各种各样的半导体器件。用硅片制成的芯片拥有令人震惊的运算能力。科技的不断进步推动着半导体的发展。自动化技术和电子计算机等技术发展，使硅片(集成电路)这类高新技术产品的成本已降至非常亲民的水平。

硅片的规格型号

硅片规格型号有多种分类方法，能够依照硅片直径、单晶生长方式、掺杂类型等参量和主要用途来区划类型。

可以按硅片直径划分：

硅片直径一般有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸 、12英寸(300mm)，现阶段已发展到18英寸(450mm)等规格型号 。硅片的直径越大，在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多，每一个芯片的成本费自然也就越低。所以，更大的直径硅片是硅片制作技术的未来方向。但硅片规格越大，对微电子加工工艺、原材料和技术的要求也就越高。

可以按单晶生长方式划分：

直拉法制作的单晶硅，被称之为CZ 硅(片);磁控直拉法制作的单晶硅，称之为MCZ硅(片);悬浮区熔法制作的单晶硅，称之为FZ硅(片);还有用外延法在单晶硅或别的晶硅衬底上生长硅外延层，称之为外延(硅片)。

硅片和晶圆的差别

还没有切割的单晶硅原材料是一种薄型圆片叫晶圆片，是半导体行业的原材料，切割后叫硅片，经过对硅片开展光刻、离子注入等方式，能够制成各种各样的半导体器件。