随着工业自动化、汽车电子、可再生能源等领域的快速发展，市场对半导体器件的性能、效率和可靠性提出了更高要求。

近日，Microchip、英飞凌、辰达半导体相继推出新品，涵盖微处理器、晶体管等，展现了行业最新技术成果。

这些产品不仅采用了先进的封装技术和创新材料，还针对高增长市场进行了优化设计，为下一代电子设备提供了强有力的支持。

Microchip：集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器

Microchip推出基于Arm® Cortex®-A7内核的SAMA7D65系列微处理器(MPU)，运行频率高达1 GHz，并提供集成2 Gb DDR3L的系统级封装(SiP)及片上系统(SoC)两款型号，专为人机接口及高连接性应用设计。

据了解，SAMA7D65系列以能效设计为核心，融合先进图形、低延迟与连接性，为HMI应用设定了新标准。

其SiP版本通过集成DDR3L内存，简化研发流程并最大限度地缓解了供应链压力，为客户提供从设计到量产的高效路径。

图/ Microchip

产品优势：

• SAMA7D65 MPU 的图形功能包括LVDS、MIPI DSI® 接口和 2D GPU。这些高性能功能可传输和处理更多数据，以实现高效的图形性能。
• SAMA7D65 MPU 配备先进的音频和连接功能，包括支持时间敏感网络 (TSN) 的双千兆以太网，实现了对实时系统至关重要的精确同步和低延迟通信。
• SAMA7D65D2G SiP具有2 Gb DDR3L存储器，可进行高速同步动态随机存取操作，其低压设计可降低功耗并提高能效。SiP的设计通过预先解决高速存储器接口设计方面的问题和简化存储器供应，可加快设计进程和产品上市时间。
• SAMA7D65系列面向具有交互式触摸屏显示器的应用，是对Microchip现有基于SAMA7G54 1 GHz Arm Cortex-A7的MPU的补充。使用Microchip MPU 的嵌入式开发人员可以利用 Microchip Graphics Suite 平台，在 MPLAB® Harmony v3 和 Linux® 软件平台内构建复杂的图形用户接口 (GUI) 和其他图形应用。

英飞凌：采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管

CoolGaN™ G3 100V(IGD015S10S1) 晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为1.1mΩ;CoolGaN™ G3 80V(IGE033S08S1)将采用3.3x3.3 RQFN封装，典型电阻为2.3mΩ。

采用RQFN封装的IGE033S08S1和IGD015S10S1 GaN晶体管样品将从2025年4月开始提供。

CoolGaN™ G3 100V晶体管与WRTFN-9-2组合 图/英飞凌

产品特点：

• 两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局。
• 新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。
• 这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。

辰达半导体：40V N 沟道增强型MOSFET

辰达半导体40V N 沟道增强型MOSFET——MDD210N40P采用先进的沟槽技术和设计，能在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻。其VDS= 40 V;ID =210 A。可广泛应用于电池保护、电源管理、开关模式电源等多种领域。

图/辰达半导体

图/辰达半导体

产品特性：

• 低导通电阻(RDS (ON))：当 Vgs = 10V 时，典型值为 1.5mΩ
• 极低的开关损耗
• 卓越的可靠性和一致性
• 具有高EAS，稳定性和一致性良好