12月6日，本届国际电子器件大会（IEDM 2025）于旧金山召开，中国半导体力量成为聚光灯下的焦点。在全球顶尖学术舞台上，中国机构合计贡献了101篇入选论文，其中，北京大学以21篇的入选量连续五年雄踞全球高校榜首；在产业界，长鑫存储作为国内DRAM领域的代表，凭借两项前沿技术成果的入选，论文数位居国内企业首位。

IEDM 2025见证中国半导体崛起

被誉为半导体“奥林匹克”的IEDM大会，长期是全球器件技术演进的风向标。今年正值场效应晶体管诞生百年，大会以“FET 100年：塑造设备创新的未来”为主题，在人工智能驱动算力与存储需求爆发的时代背景下，其议程不仅反映学术前沿，更预示未来存储技术的演进方向与产业变局。

长鑫存储在大会上披露的两项成果引人注目：一是实现了单片集成的3D铁电存储器（3D FeRAM），采用创新的双层堆叠1T1C架构与双栅极选择晶体管，在性能与耐用性上表现突出，为下一代低功耗非易失性存储铺平道路；二是成功研制出全球首个在后段制程（BEOL）集成的新型多层堆叠DRAM，基于IGZO晶体管实现，并在性能与可靠性方面取得关键进展，为DRAM技术的持续演进开辟了新路径。

长鑫技术创新驱动产品全面进阶

扎实的研发积累正转化为市场竞争的强劲动力。长鑫存储目前已构建起覆盖DDR4、DDR5、LPDDR5、LPDDR5X的全系列产品体系。据官网信息，长鑫今年10月推出的LPDDR5X芯片，最高速率达10667Mbps，性能较前代提升66%，功耗则降低30%，已达到国际主流水平。据行业了解，长鑫存储正在研发的0.58mm超薄芯片，有望在量产后成为全球最薄的LPDDR5X产品。

在标准型存储领域，长鑫于11月发布了最新DDR5产品，最高速率突破8000Mbps，并提供24Gb大容量颗粒，两项指标均步入国际领先行列。24Gb大容量颗粒尤其适合数据中心场景，可在不增加物理空间的前提下显著提升系统容量与运算效率。此外，围绕DDR5芯片，长鑫还推出了UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM七大模组，完整覆盖从个人电脑到服务器的高端应用需求。

根据美国半导体行业协会最新数据，2025年10月全球半导体销售额同比增长33%，其中DRAM销售额同比激增90%，行业复苏态势强劲。在此背景下，长鑫存储持续推进的上市进程也获得有利环境支撑。分析指出，行业基本面的显著改善，为长鑫IPO增添了更具说服力的成长叙事，有望进一步强化投资者对公司长期价值与盈利潜力的信心。