第三代非隔离高恒流精度高功率密度LED驱动技术
摘要: 文章详细介绍了基于TRUEC2技术非隔离BUCK拓扑,来实现极高精度LED恒流控制。试验证明,全闭环TRUEC2技术实时检测真实输出电流,免受输入电压、外部电感影响,突破性地提高了LED输出电流的精度。集成MOSFET,简化外围线路;控制方式免受电感影响,可选择更低价的工字型电感,提高可靠性的同时降低了成本,受到市场广泛欢迎。
关键字: LED照明负载, 恒流驱动电源, 非隔离LED恒流控制技术, 占空比半导体
针对LED照明负载特点,目前非隔离式的恒流驱动电源的拓扑结构基本上是BUCK降压结构。本文将把非隔离LED恒流控制技术的发展分为三代,讨论控制策略实现恒流的原理的发展,分析每一代的优缺点,每一代有哪些突破性进步。基于占空比半导体公司的DU8623/DU8633芯片,介绍最新一代集成式闭环电流控制技术,详细介绍这种控制策略如何突破性提高LED输出电流精度,从开环到闭环是其本质的突破。介绍了一种极简线路极小尺寸的7W球泡灯驱动方案,由于闭环控制对于电感变化不敏感,选用更低价的工字型电感,这就在提高可靠性和精度的同时,降低了整体方案成本。
2. 1三代非隔离LED恒流控制技术发展
第一代LED恒流芯片:
此类芯片主要的技术特点是基于固定频率的PWM芯片(如UC384X等),通过降低电感纹波电流,固定电感峰值电流来实现恒流。但由于开关频率固定,为避免次谐振荡,它的最大占空比只能用到50%,其应用范围就很受限了;再者由于电感纹波很小,那就需要比较大的电感量,同时还有EMI较难解,效率也不高等缺点。这类芯片主要包括:
HV9910(美国超科)、PT4107(华润矽微)、SMD802(台湾芯瑞)、FT870(辉芒微)、LNK506(PI)等;
第二代LED恒流芯片:
此类芯片相对与第一代的创新是:固定Toff技术。固定开关管的关断时间, 就可以允许较大的电感纹波电流,占空比也可以做到接近100%。其应用范围也比较宽。但这代产品有几个缺点,就是当输出电压变化或电感量发生变化时,无法恒流。这类芯片主要有:
HB9910B(超科),SN3910(矽恩),LM3445(国半)等。

图1 开环控制策略(固定Toff)的电感电流波形
如图1所示,电路是BUCK降压结构,芯片控制的是MOSFET的源极,这种控制方式控制原理如下:
当MOSFET开通时,电流从DCBUS通过LED负载,流过电感,流入地。
Vi-Vo=L=L (1)
当MOSFET关断时,电感电流从D1续流。得出以下公式:
Vo= L=L (2)
如图1,Io(average)= Ipk- (3)
由(2)和(3)
Io=-Vo* (4)
Vref和Rcs都是设定的定值,由于电流流过LED负载,如果电流固定,可以认为LED的电压Vo是固定的,所以从式(4)看出,只要电感值L固定,再固定关断时间(1-D)T, Io即固定。
第三代LED恒流芯片:
这类产品可以称为真正的恒流源,因为实时逐周期检测、控制了真实输出电流,最终无论是输出电压、电感还是输入电压发生变化时都能实现恒流。这类芯片包括:
DU8608、 DU8623、 DU8633、DU2702
2.2 DU8623/DU8633集成开关简化线路实现真正全闭环的恒流控制

图2 全闭环非隔离降压恒流LED驱动电源示意图
所谓的闭环,即真正检测输出电流值,以此为标准来发出PWM信号。所谓开环,不以检测到的输出电流值来做发出PWM信号的参考。从电路拓扑上,二者没有区别。但是在芯片内部对检测到的如图2 CS脚电感电流信号,做专利技术处理,如图3 TRUEC2部分做积分处理,并同时检测峰值电流。这样,就检测到了电感电流的平均值,也就是输出电流的平均值。芯片针对检测到的值,控制输出占空比,实现了闭环控制。这种控制结构,同时使得线路极为简单,由于闭环控制电流,相比于开环方式,此线路具有电感短路保护功能。这在生产应用中是非常重要的,这相当于大大降低了系统发生故障的风险。使得这种方案不仅在性能上有了质的飞跃,在可靠性上也大大提高。DU8623和DU8633分别集成了1A和2A的高压MOSFET,又将简化线路做到了极致,可以实现所有20W以内的非隔离LED驱动需求。

图3 芯片内部TRUEC2部分模块工作示意


图4 输出电流精度vs.电感量变化(闭环控制与开环控制的区别)
图4是两个实测结果对比,反映的是电感大范围变化(设计标称值1.5mH)时,闭环与开环式控制方式输出电流的变化对比。如果使用DU8623、DU8633 闭环的方式,如左图,输出电流保持±0.9%以内的恒流精度。如果这种用目前市场上第二代开环系统芯片,电流会随电感量变化线性的大范围波动,如右图。从上文式(4)可以看出,第二代控制方式输出电流与电感量L有关,而第三代控制方式输出电流与L无关。实验证明了此结论。
这样的鲜明测试对比结果让我们思考一个问题,针对对于价格非常敏感的LED驱动市场,如何在提高性能的同时降低成本?
答案就在图5中,我们使用闭环控制策略,在提高系统恒流精度的同时,可以选用更低价的“工字”型电感,来实现提高性能、降低成本的目标。

图5 “工字”型电感(左)和EE型电感(右)
同样功率LED球泡灯应用,工字型电感比EE型电感便宜¥0.3~0.4左右,对于价格及其敏感的LED电源行业,这种差别相当可观。市面常见的芯片(前文提到的第一代和第二代),很难使用价廉的工字型电感,根本原因是工字型电感磁回路经过了空气部分,在装入金属外壳时,电感量会有比较大的偏移,这就影响了输出恒流精度。而使用闭环控制方式的DU8623和DU8633,根据以上分析,由于全闭环控制,输出恒流精度和电感量变化无关,所以可以使用更低价的工字型电感,在提高性能的同时,降低了整体方案成本。
3 实验验证
我们选择了一个典型非隔离LED球泡灯应用来做IC功能验证,基本电参数要求如下:
输入电压范围:90~305VAC/50Hz 效率:>82.5%
输出电压范围:0~60VDC 输出电流:123mA
标称输出功率:7.2W

图6 7W DU8623 球泡灯应用原理图

图7 输出7W非隔离LED球泡灯驱动电源尺寸示意

图8 PCB布板图
基于图6的极简线路,如图7、图8显示,此方案可以在非常小的尺寸下实现7W的输出功率。这样的小尺寸,对于空间狭小,要求很高的球泡灯,有实际的意义。高功率密度是LED灯具对LED驱动电源提出的要求,更优的控制方式是实现更高的功率密度的根本途径。
对于输入电压、负载LED变化情况下,我们测试得到如下线性、负载调整率结果:

图9系统线性调整率(电流表误差范围内,视作恒定不变)
线性调整率的实际意义是:1. 电网波动时的恒流。 2. 应用于世界范围内不同电网的恒流。图9的线性调整率接近0,这是因为芯片逐周期闭环控制,立刻响应,不会引起输出电流变化。在实现如此理想的线性调整率的同时,还省却了第二代控制芯片因为线性补偿的许多外围元器件,同时提升的是电路的可靠性。

图10 系统负载调整率
高负载调整率的实际意义是多套灯负载可以用一套电源。例如12串输出是36V左右,24串输出是72V左右,如果设计电流值相同,可以使用同一套电源,对于电源厂,在生产中对于备料、库存管理有显著价值。值得一提的是,如图10,此系统在短路的时候依然实现了恒流,这就意味着:1. 短路保护通过最安全的方式实现。2. 这是真正意义的全负载恒流。
图9、10可以看到,由于闭环控制,在设计的正常工作范围内,输出电流维持定值,单颗系统可以认为是恒定的输出电流,即线性调整率接近0,负载调整率为±0.5%。量产时,由于参数一致性分布,大量试产数据表明,恒流精度小于±2%.
4 结论
非隔离LED恒流驱动发展至今,已经经历了三代。如何针对LED负载的需求,从控制的核心出发,提供更高性能、更可靠、更低成本的方案,这是笔者及其业内所有专注LED照明事业人士所思考的问题。简言之,有以下3个问题需要我们去解:
1. 如何实现更高的恒流精度
2. 如何用更低的成本实现更高恒流精度
3. 如何用更低的成本实现更高的恒流精度时使生产可靠性更高
看似绕口令的三个问题,终极的问题是第三个。目前全球LED产业的重心在中国,中国LED驱动电源标准尚未敲定,市场百花齐放,产品却良莠不齐,市场以逐利行为导向导致许多质量不过硬的产品流向了消费者。盲目的降成本牺牲性能其实只是短视的商业行为,标准的建立将会有助于整个行业的产业提升。占空比公司,作为中国LED标准委员会半导体照明技术标准组的成员单位,作为专业从事LED照明驱动的芯片公司,肩负中国LED标准的撰写任务。可喜的是,第三代非隔离LED恒流驱动技术,基于对市场深入骨髓了解所诞生的产品,对于应对以上3个问题时有了突破性的解答。革命性的全闭环控制专利,为LED市场而生,实现了以下突破:
1. 极高系统恒流精度
2. 对外围元件不敏感致使成本大幅降低
3. 从控制方式上实现了极高功率密度
4. 生产高可靠性
本文为哔哥哔特资讯原创文章,如需转载请在文前注明来源哔哥哔特资讯及作者信息,否则将严格追究法律责任。
相关文章
-
第8届高速线缆组件&连接器研讨会解锁互连技术新范式
2025.12.19-09:46 ●
-
磁性元件与电源行业评选申报倒计时10天
2025.12.15-17:08 ●
-
多家大企率先入场!“星特杯”申报持续升温
2025.12.01-17:32 ●
-
超强曝光度!2025星特杯行业评选邀您申报
2025.11.18-13:42 ●
-
500+企业、700+精英齐聚华东数字电源创新峰会
2025.11.18-10:30 ●
-
倒计时三天!苏州数字电源峰会参会指南出炉
2025.11.12-15:49 ●
-
磁技术专委会2025工作会议在深召开
2025.11.12-09:24 ●
-
SiC与GaN技术如何破局车规功率半导体应用痛点
2025.11.11-13:46 ●
-
TI等头部厂商齐聚,剖析数字电源“芯”方向
2025.11.10-15:57 ●
-
立讯亮相超节点大会,共探互连技术破局之路
2025.11.07-09:32 ●