氮化镓GaN第三代半导体材料
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- 更新日期：2025-12-09 10:13:10
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详细介绍
GaN是一种新型的半导体材料，它是氮和镓的化合物，也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和漂移速度大（2.7×107cm/s）等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
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