泰谷投资1.67亿美元于南京设LED磊晶厂
2011-04-02 15:49:39 来源：网络 点击：1664
摘要： 日前，泰谷与韩国最大LED公司首尔半导体(Seoul Semiconductor)与旗下封装厂首尔光学元件(Seoul Optodevice)合资成立新公司，双方合作预计于Q2开始进行;泰谷2011年也持续扩产，MOCVD将新增20台，法人预估产能将比去年大幅成长达6成的水准。
近日，LED磊晶厂泰谷光电(3339)与南京市经济技术开发区签订投资协议书，将投资1.67亿美元，针对中国$照明市场在南京市设立上游的磊晶厂。
泰谷指出，此厂南京市政府不会参与投资，泰谷也不会独资设立，相关的投资架构均还在进行，由于此厂主打中国的照明市场，希望找寻下游的出海口客户一起合作。
日前，泰谷与韩国最大LED公司首尔半导体(Seoul Semiconductor)与旗下封装厂首尔光学元件(Seoul Optodevice)合资成立新公司，双方合作预计于Q2开始进行;泰谷2011年也持续扩产，MOCVD将新增20台，法人预估产能将比去年大幅成长达6成的水准。
除了泰谷之外，台湾厂晶电(2448)与光宝科(2301)在常州合作成立一条龙LED厂，新世纪光电(3383)则在昆山设厂，隆达(3698)选择在苏州，璨圆(3061)则落脚扬州.
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传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
在经历过2019年的库存去化，低谷期已经过去了，12吋磊晶硅晶圆已经回温，非常有利于半导体硅晶圆市场的回温，从而带动我国半导体市场的进一步发展。
LED路灯光衰的关键问题在于温度，偏偏LED路灯通常又败在这个环节。LED路灯由于发光功率大于家用灯具，因此厂商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心，组装完毕需在灯具散热模块外面，加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去，造成散热不良导致LED磊晶光衰。
半导体材料即将改朝换代。$晶圆磊晶层(Epitaxy Layer)普遍采用的矽材料，在迈入10纳米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升芯片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。
市场研究机构 Yole Developpement 推出超接面金氧半场效电晶体(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市场更新报告，深度剖析高压(400伏特以上) SJ MOSFET 市场指标与预测、深沟式(Deep trench)与多磊晶(multi-epi)技术的差异以及新兴业者的
市场传出，苹果下一代iPhone将会配备多个LED闪光灯。由于LED闪光灯不具专利威胁，台厂有机会争取到商机，手机闪光灯最大厂亿光出现机会最高，光宝也积极准备布局;磊晶厂晶电、璨圆同步受惠。
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