导电膏塞孔是实现任意层互连的技术万案之一，其雏形是松下的ALIVH (Any Lay 巳r Interstitial Via Hole)技术和东芝B2it (Buri巳d Bump Interconnection Technology)技术[1]。任意层互连技术发展的一个关键技术是做孔化，即层与层之间通过 微孔进行导通互连。微孔加工目前激光钻孔技术可以实现;而在做孔金属化技术这块，目前主要分三种：电镀填孔、导电材料塞孔、铜凸块[1]。其中，导电青互连技术由于其用导电青替代电镀进行填孔，不仅精细线路、高厚径比等制作工艺难度降低，流程简化;而且可以实现绿色生产，节省能源等特点，因此该技术具有广阔的发展前景。

导电膏主要成分是铜、锡、环氧树脂，因此导电率较电镀铜差，其结合与导通机理区别于电镀铜方式，主要是通过 高温烧结在焊盘表层形成铜锡合金互连[2]。文章通过实验设计，评估了导电膏塞孔互连对于高速信号完整性的影响，同时评估了材料热膨胀系数与多阶盲孔设计可靠性问题，为该技术的推广应用提供技术参考。