据武汉新芯集成电路制造有限责任公司消息称，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash )芯片已在前几日全线批量生产了。

现阶段，在全世界NOR Flash存储芯片领域，一般通用技术都是65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已靠近该类存储芯片的物理极限，无论是芯片的存储单元面积还是它的存储密度，都已经做到国际领先水平。

据了解，武汉新芯50纳米闪存技术于去年12月取得突破，随后就开始投入量产准备。从65纳米到50纳米的提升，武汉新芯仅仅用了一年半的时间。

Flash就是指非易失性存储介质。本次批量生产的产品是宽电源电压产品系列XM 25QWxxC，容量可以覆盖16兆到256兆。性能检测显示，在1.65伏至3.6伏电压范围内，该系列NOR Flash存储芯片的输出功率可以达到133兆赫，即便在零下40℃或105℃这类极端温度下，仍然不会停止芯片的“芯跳”。其无障碍重复擦写可以达到十万次，数据保存时间高达二十年。

根本研发人员的详细介绍，作为NOR Flash存储芯片中的“闪电侠”，该存储芯片在连续读取模式下，可以实现高效的存储器访问，仅仅只需要八个小时的指令周期，就可以读取24 位地址。值得一提的是，它还可以使便携式设备的电池使用周期延长1.5倍以上，让客户通过宽电压功能实现更好的库存管理。

“对这个存储芯片来讲，最难的挑战是速度、功能损耗和稳定性。”武汉新芯运营中心高级副总裁孙鹏说，随着50纳米NOR闪存的重大进展，武汉新芯将在性能和成本费上进一步提高产品的竞争力，对于迅速发展的物联网和5G市场，不断研发自主品牌的闪存产品，持续拓展产品线。

最近，武汉新芯与业界领跑的物联网核心芯片和解决方案服务平台乐鑫科技进行了长期战略合作，彼此将紧紧围绕物联网应用市场，在物联网、存储器芯片与应用方案开发上进行合作。乐鑫科技CEO张瑞安先生表示，武汉新芯NOR Flash存储芯片，支持低工耗、宽电压工作，可以满足该平台全系物联网芯片、智能家居系统及工业摸组的应用需求。

武汉新芯成立于2006年，专注于NOR Flash存储芯片的研发和生产制造，并以全世界领跑的半导体三维集成制造技术，在图像传感器、射频芯片、DRAM存储器等产品上，不断实现性能和构架的提升。