一起来了解这两款二极管有什么不同
2020-07-20 15:08:30 来源:电子元件技术网 点击:2158
发光二极管和激光二极管在发光原理上的区别:LED是利用引入数字功放区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受到刺激辐射源复合发光。普通发光二极管传出的光子的方位,相位是任意的不确定的,而激光二极管传出的光子是同向的,同相位。
LED是Light Emitting Diode(发光二极管)的简称。普遍常见于生活起居中,如家用电器产品的显示灯,轿车后雾灯等。LED的更显着特性是使用周期长,光电转换效率高。其原下上在一些半导体器件的PN结中,引入的极少数载流子与大部分载流子复合时把不必要的动能以光的方式释放出,进而把电磁能立即变换为光能。PN结加反方向工作电压,极少数载流子无法引入,因此二极管不会发光。这类利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,统称LED。
LD是激光二极管的英文简写,激光二极管的物理学构架是在普通发光二极管的结间安装一层具备光活性的半导体材料,激光二极管的端面经过打磨抛光后具备一部分反射作用,因此产生一光谐振腔。在顺向参考点的状况下,发光二极管结发送出光来并与光谐振腔相互影响,进而进一步鼓励从结下发送出单光波长的光,这类光的物理特性与原材料相关。半导体材料雷射二极管的工作原理,理论上与气体雷射器同样。激光二极管在电子计算机上的CD电脑光驱,激光印表机中的打印头等小输出功率光学设备中获得了普遍的应用。
普通发光二极管和激光二极管在原理、构架、效率上的区别。
(1)普通发光二极管和激光二极管在工作原理上的区别:发光二极管是利用引入数字功放区的载流子自发辐射复合发光,而激光二极管是受到刺激辐射源复合发光。
(2)普通发光二极管和激光二极管在构架上的区别:激光二极管有电子光学谐振腔,使造成的光子在腔内振荡变大,发光二极管没有谐振腔。
(3)普通发光二极管和激光二极管效率上的区别:发光二极管没有临界点特眨光谱相对密度比激光二极管高好多个量级,发光二极管汇出光功率小,散发角大。
声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。
半导体激光加工设备正加快迭代升级。从传统的二极管泵浦到光纤耦合、超快激光技术,设备在功率稳定性、加工精度和能耗表现上均显著提升。与此同时,国产厂商也在技术突破和成本控制方面不断追赶,逐步缩小与国际领先企业的差距
DFNAK3系列可为高密度设计中的直流电源和PoE系统提供高浪涌保护并节省空间
紧凑型SOD-123FL瞬态抑制二极管的峰值功率比SZSMF4L系列高出50%,帮助工程师保护空间有限的电动汽车和汽车电子产品免受高压浪涌的影响。
折回技术可保护PoE、服务器和工业电源中的DC/DC转换器。
英飞凌推出市场首款2000V分立式SiC二极管,以TO-247-2封装和.XT互联技术提升1500V系统效率;圣邦微电子发布新款电池充电控制器,具备功率监控和SMBus功能;先楫半导体则带来600MHz RISC-V双核MCU HPM6P81,拥有32路高分辨率PWM和4×16位ADC。
盘点近期意法半导体、Vishay、Nexperia等全球半导体头部厂商发布的诸多新品,包括降压DC-DC转换器、碳化硅肖特基二极管等产品,应用领域涵盖电动汽车充电、工业电机驱动、光伏系统等等。

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论