快恢复二极管就是指反向恢复时间很短的二极管(一般在5us下列)，加工工艺上多采用掺金对策，构造上面有采用PN结型构造，有的采用改善的PIN构造。快恢复二极管正向压力降高过一般二极管(1-2V)，反方向抗压多在1200V下列。从特性上可分成快恢复二极管和极快恢复二极管两个级别。快恢复二极管的反向恢复时间为百余纳秒或更长，极快恢复二极管则在100纳秒下列。

肖特基二极管是以金属材料和半导体材料触碰产生的势垒为基础的二极管，通称为肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具备正向压减少(0.4--0.9V)(用这一方式能够分辨出该器件)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，并且反方向泄露电流很大，抗压低，一般小于150V，多用以低电压场所。

肖特基二极管和快恢复二极管一般用以开关电源。

肖特基二极管和快恢复二极管的差别：肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍上下，肖特基二极管的反向恢复时间大概是几纳秒!

肖特基二极管的优势还有低能耗，大电流量，快速!电气设备特点自然全是二极管阿~!

快恢复二极管在生产制造工艺上采用掺金,单纯性的外扩散等加工工艺,可得到很高的电源开关速率，另外也可以获得不错的抗压，现阶段快恢复二极管关键应用在变频电源中做整流元器件。

肖特基二极管：反方向抗压值较低40V-50V，通态压力降0.3-0.6V，低于10nS的反向恢复时间。它是具备肖特基特点的“金属材料半导体结”的二极管。肖特基二极管的正向工作电压较低。肖特基二极管的金属材料层除原材料外，还能够采用金、钼、镍、钛等原材料。其半导体材料采用硅或氮化镓，主要是N型半导体。这类器件是由大部分载流子导电的，因此，肖特基二极管的反方向饱和电流比极少数载流子导电性的PN结大很多。因为肖特基二极管中极少数载流子的存储效应微乎其微，因此肖特基二极管的频率响仅为RC时间常数限定，因此，肖特基二极管是高频率和快速开关的理想元器件。肖特基二极管的输出功率可以达到100GHz。而且，MIS(金属材料-绝缘体-半导体材料)肖特基二极管能够用于制作太阳能电池或发光二极管。

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压力降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间快速变换，提升了元器件的使用频率并改进了波形。快恢复二极管在生产制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等加工工艺,可得到很快的电源开关速率,另外也可以获得不错的抗压，现阶段快恢复二极管主要应用在变频电源中做整流元器件。

为什么会出现反向恢复时间，肖特基二极管和快恢复二极管又什么差别?

针对高频率电源而言，因为它的频率很高(相位转换)当正自感电动势时二极管正偏导通断没有危害，假如肖特基二极管反向恢复速度较慢时,当负自感电动势来临因为肖特基二极管都还没从正偏时的通断情况变为截止等同于短路故障相当于是负自感电动势的工作电压与正自感电动势的工作电压累加在肖特基二极管两边，因为频率迅速，反方向的时间就很短(相当于短路故障时间很短)因此一般状况下肖特基二极管不会马上烧毁，只是将短路故障的能量消耗在肖特基二极管的压力降，因此导致发烫比较严重,另外整流的实际效果也会极大地减少。