台积电在去年年初发生了半导体材料-光阻剂事件，最近又有日本管控对韩国重要半导体材料出口，当中也出现了光阻剂，这市场容量仅有不到20亿美金的产业链，但却变成半导体行业关键的原材料，下面将表明光阻剂在半导体行业有什么重要作用。

光阻剂是光刻技术全过程的重要半导体材料，光阻剂质量能立即决策IC商品的特性、合格率。随着晶圆代工进入到先进制程，其所需光阻剂解析度的提高及数次图形界面技术性的应用，推动光阻剂的成本费比例及半导体材料市场容量将持续升高。

光阻剂是由成膜剂、光敏剂、有机溶剂和防腐剂等关键化工品和别的辅助化工品所构成。在光刻过程中，光阻剂被均匀分布在晶圆片、夹层玻璃和金属材料等不一样的底材上，经曝光、显影和蚀刻等工艺流程将电源电路图形迁移到涂有光阻剂的晶圆上面。

而光阻剂依据曝光和显影后的溶解性转变能够分成正光阻剂和负光阻剂。

负光阻剂：负光阻剂在历经曝光后，遭受光照的一部分变得越来越不容易溶解，仅留下光照部分形成图形。负光阻剂是最开始被应用在光刻工艺上的光阻剂种类，负光阻剂有着加工工艺低成本、生产量高的优势。

不过负光阻剂在消化吸收显影后会变大，这样的话就会造成负光阻剂的解析度比不上正光阻剂。所以负光阻剂常常会被用于中小规模IC商品等解析度不太高的电源电路的制作中。

正光阻剂：正光阻剂在历经曝光后，遭受光照的一部分就会变得越来越容易溶解，仅留下未遭受光照的一部分形成图形;极高精密IC商品及对感光灵敏度规定高些的IC商品，一般会采用正光阻剂来进行电源电路图形的迁移。

进入到5G时代，芯片的整合慢慢提高，相互配合半导体商品小型化、作用多元化的规定，持续通过减少曝光波长提升解析度，从而做到IC电源电路更高密度的的融合，所以光阻剂的发展也持续在演变中。

而为满足IC电路线宽持续变小的规定，光刻机的波长由紫外光谱向g线(436nm)→i线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2、EUV(157nm)的过程前行。

相匹配不一样的光刻工艺必须配套相对应解析度的光阻剂，现阶段半导体材料销售市场上主流的光阻剂包含g线、i线、KrF、ArF四类光阻剂。另外随着中下游晶圆代工生产商持续布局先进工艺，因为正性ArF光阻剂融合解析度提高技术性可用以32nm/28nm加工工艺，选用数次图形技术，则能够完成20/14nm加工工艺。

对于EUV光阻剂配搭EUV光刻机则变成下一代光刻工艺的流行挑选，预估将来7nm、3nm等先进工艺将应用EUV光阻剂。所以随着半导体材料加工工艺的创新针对ArF、EUV种类的光阻剂要求将进一步提高。