据集微网的消息称，10月18日，深科技发布2020年度非公开发行A股股票预案，深科技拟非公开发行不超过89328225股股票，融资不超171000万元人民币，扣减发行费用后将剩余的所有资金用于存储优秀封测与模组生产制造新项目。

据深科技披露，存储优秀封测与模组生产制造项目总投资为306726.40万元人民币，其中建设项目投资为296471.17万元人民币，铺底周转资金为10255.23万元人民币。存储器项目建设周期为3年，关键的建设内容为：

(1)DRAM数据存储芯片封装测试业务，计划所有投产后平均月产能为4800万颗芯片。

(2)存储模组业务，计划所有投产后平均月产能为246万条存储模组。

(3)NAND Flash存储芯片封装业务，计划所有投产后平均月产能为320万颗存储芯片。

该新项目技术主要来源于沛顿新科技自主研发与长期积累，沛顿高新科技存储芯片封装制程选用的是当今高端存储芯片商品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封裝技术等，目前存储芯片商品已完成高达16层的多晶堆叠技术，最大单颗存储芯片的容量可做到256G。

沛顿高新科技具有DDR4封裝和检测技术，选用的BGA、LGA等封裝技术优点显著，存储芯片的良品率高，交货周期时间快，存储芯片产品品质平稳，技术领先我国别的竞争者;沛顿高新科技的日本研发部门开发测试方按和程序，提供定制化服务项目的支持，存储芯片技术加工工艺核心竞争力显著。

深科技表示，伴随着此次募投项目的执行，有益于摆脱我国存储器行业对进口存储器商品的依靠和技术壁垒，加快我国存储器国产化替代的进程，提高国产存储器芯片的产业经营规模，推动我国存储器产业链发展。

本存储器项目实施后，可以满足顾客很大需求的DRAM、Flash存储芯片封测及DRAM运行内存模组生产制造业务，有利于我国存储器芯片封测的深度国产化。存储器企业依据顾客总体产能基本建设的需求，契合顾客业务合理布局，对存储器公司建立长期平稳的客户关系具有积极作用。顾客产能的逐渐提高将直接推动存储器企业集成电路封测业务的订单提升。此次募投项目实施后的新增产能再加上存储器企业现有产能，将为存储器芯片国产化的提供强有力的保障。