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英飞凌推出高功率和可靠性的CoolGaN™ IPS系列产品
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英飞凌推出高功率和可靠性的CoolGaN™ IPS系列产品

2021-05-31 14:28:46 来源:半导体器件应用网 作者:厉丹 点击:1029

【哔哥哔特导读】近日,英飞凌推出了面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN™ IPS系列产品,并举行CoolGaNTM IPS 第三代化合物半导体新品发布媒体沟通会。

5月25日上午,英飞凌半导体(深圳)有限公司(简称:英飞凌)在深圳办公室举行了CoolGaNTM IPS 第三代化合物半导体新品发布媒体沟通会。

随着当前充电器行业的发展,大功率、通用性、小尺寸和低成本的充电器产品越来越符合应用商和消费者的需求。为了更好地适应当前市场,英飞凌推出了面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN™ IPS系列产品。IPS基本的产品组合包括半桥和单通道产品,目标市场为低功率至中功率的应用,例如充电器、适配器以及其他开关电源(SMPS)。

据英飞凌半导体(深圳)有限公司高级应用市场经理卢柱强介绍,得益于GaN的材料与技术特性,CoolGaNTM IPS系列产品在开关电源中,能够显著减少开关损耗,尤其是高频开关应用,同时在充电器中的使用,主要是利用了GaN在高频下的开关特性优点,从而实现小型化设计。

值得一提的是,英飞凌CoolGaNTM IPS(Integrated Power Stage)在一个QFN8*8的封装里,集成了隔离驱动IC和GaN开关管,易于设计,不仅减少干扰和尖峰,提高可靠性,减少寄生参数,利于提高可靠性,而且节省外围器件数量,减少PCB面积。

与其他同类产品不同,英飞凌CoolGaNTM IPS系列产品具有以下亮点:

1. 低至47ns的时延,支持1MHz高频开关,死区控制更准确,半桥控制一致性更好;

2. 外部可配置驱动RC网络,优化具体路线dv/dt;

3. 输入端支持各种MCU,DSP或FPGA等3.3V CMOS PWM;

4. 无磁芯变压器驱动,气隙隔离更安全。

其中,代表产品600V CoolGaN半桥式IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装形式,针对散热效能进行强化,可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型(e-mode)HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER™系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。

英飞凌推出高功率和可靠性的CoolGaN™ IPS系列产品

600V CoolGaN半桥式IPS IGI60F1414A1L

这款CoolGaNTM IPS系列产品不单单只应用在充电器领域,同样适用于功率、框架合理的应用领域。目前,在USB-C充电器领域,英飞凌和Cypress强强联合,共同为充电器行业提供优秀的方案,更好地服务客户。

据悉,宽禁带(WBG)第三代半导体材料是英飞凌全面布局的方向,SiC和GaN等材料都有相关应用。英飞凌半导体(深圳)有限公司董事总经理陈志豪表示,就GaN材料而言,其产品主要聚焦应用在充电器领域。可靠性和高功率密度是当前的一个趋势,英飞凌希望通过高可靠性的集成方案,让更多的客户使用,未来短时间内也希望会在应用领域扩大使用。

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