伴随着日益增加的功率需求，负载范围内更高的效率以及不断升高的供电电压的市场驱动，汽车、工业及家电类应用越来越需要高性能、高可靠性、高耐压的半导体器件。近期，深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)宣布推出900V耐压的氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。

据了解，新IC采用该公司特有的PowiGaN技术，使用独立封装，可提供高达100W的功率以及95%的效率，且无需散热片，简化了空间受限型应用的电源设计。

在PI产品系列中，功率开关IC主要采用Si、GaN及SiC。相比往期低压器件，此款900V GaN器件扩展了电压范围且提升了效率及耐用性，也就是与900V耐压的硅器件相比效率更高，功率更大。值得一提的是，此款900V GaN器件改善1.5%的效率，就可减少20%的热量，大大缩小了电源IC在PCB板的占板面积。同时，效率的提升可以使得IC温升更低，进而适合电动汽车这类高环境温度的应用。

在汽车应用方面，很多EV汽车仍然使用12V铅酸电池。为了满足减少重量、空间、成本以及降低维护的需求，去除12V铅酸电池成为电动汽车新功率架构的发展趋势。而900V PowiGaN开关对于进行12V电池替代的系统可提供更大的功率和更高的设计裕量，并且效率高于硅基变换器，还可简化EV的功率架构。900V GaN器件设计还具有出色的轻载效率，非常适合在低功耗睡眠模式下为电动汽车提供辅助电源，而且符合AEC-Q100标准的车规认证，满足加强绝缘 (1000V)–IEC60664-1/4，工作范围可达-45至85°C，非常适用于基于400V母线系统的电动汽车。因即使400V的汽车应用，很多车企也面临着功率开关耐压裕量不足的问题。900V GaN产品的推出，可以给电动汽车工程师更多的选择，解决其辅助电源应用当中的设计痛点。

而内置900V GaN开关的InnoSwitch3-EP器件则集成了输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断等多项保护特性，提供标准输出功率和峰值输出功率选项，可以应对更多工业类及电网不稳定地区的应用需求。

这次PI推出的900V GaN汽车级InnoSwitch3-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率，适应更宽的汽车类辅助供电应用，并且具备与800V电动汽车系统所用的广受欢迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC类似的性能和保护功能。

Power Integrations资深技术培训经理Jason Yan 表示，功率变换的未来在于GaN。900V GaN器件增加的输出功率及设计裕量，为400VDC的汽车系统、服务器辅助电源及路灯照明提供了优质的解决方案。

他还表示，未来Power Integrations还将提供更多满足高价值应用的产品，利用现有的封装加大输出功率，以涵盖更多应用领域。