日本一研究机构将ZnO类紫外LED功率提高至100μW
2011-05-26 10:30:02 来源：OFweek 点击：1188
摘要： 据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。
据了解，制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法，并开发出了不使用自由基化气体的掺杂(Doping)法。这样，“有望采用量产性更高的MOCVD(有机金属气相沉积)法”。目标用途是用于液晶显示器的背照灯及照明灯的白色LED。这是由东北大学的川崎、东北大学金属材料研究所、东北大学多元物质科学研究所及罗姆共同取得的研究成果。
研究小组表示，采用紫外LED的白色LED，与搭配使用蓝色LED与黄色荧光体的InGaN及GaN类白色LED相比，有望提高演色性及色再现性。另外，该小组还称，制造GaN类LED时很难采购到高品质的低价单晶底板，但ZnO类LED可轻松合成单晶底板。因此，有望以较低的成本量产采用单晶底板的LED元件，这种底板可使发光层与网栅轻松匹配。
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9月13日，以“构建紫外新兴业态、促进科技成果转化”为主题的“第三届紫外LED国际会议暨长治LED产业发展推进大会”在山西长治盛大开幕。会议由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，长治市发展和改革委员会、长治国家高新技术产业开发区管委会承办。
基于ZnO纳米线的有机/无机复合结构紫外LED近年来引起人们的广泛关注，因为它不仅可以结合聚合物的高柔性和无机纳米结构的高化学及结构稳定性，而且相对于薄膜组成的器件来说还可以提供更高的光取出效率。
同和电子(DOWA ELECTRONICS)宣布，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短，“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”(同和电子)。
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