2023'中国电子热点解决方案创新峰会在3月24日成功举办。并取得圆满成功。此次电子峰会携手15位知名院校博导和30家知名企业专家代表,共同分享最新研究成果与应用方案,并助力终端企业甄选优质供应商。最终吸引了电子行业近2000人前来技术交流与商务洽谈。
在电子峰会PD电源解决方案分论坛上,珠海镓未来科技有限公司的镓未来研发总监张大江为大家带来演讲主题为《镓未来-氮化镓全系列封装助力高效电源解决方案》。他讲述了功率半导体材料特性对比,SiC MOSFET vs GaN HEMT
对比SiC MOSFET,GaN HEMT有下列优势:
◼ 中低压(900V以内)优良的开关性能,频率更高,寄生参数更小
◼ 中低压(900V以内)的成本优势
◼ 电压范围: 650V ~ 900V
◼ 功率范围:500W~10000W
图腾柱无桥PFC拓扑,输入230Vac,输出400V/8A,开关频率65kHz
镓未来D mode 氮化镓的优缺点等方面的内容。