根据IDC机构的测算，2025年全球人工智能服务器市场规模将达到1587亿美元，2028年更有可能飞跃式增长至2227亿美元。AI数据中心发展势头迅猛的同时，也带来了一个极为严峻的问题——电力告急!因此GaN技术变得十分重要。

一、AI大模型耗电量惊人，GaN技术成省电关键

这可不是在危言耸听。以著名的OpenAI为例：其GPT-3级别模型单次训练的耗电量约为128.7万度，相当于300户美国家庭一年的用电量;‌GPT-4级别模型单次训练耗电量达2.4亿度，相当于3000户美国家庭的年用电量。

GPT-5模型的耗电量，更是堪称“能耗怪兽”，日耗电量峰值可达4500万度，基本等同于150万户美国家电的日用电量。

未来随着AI大模型的更新迭代，其耗电量势必还会呈指数级增长!

正因如此，应用于AI服务器电源的电源模块和其中的电源管理芯片就显得尤为重要。电源模块的性能越高，就能够更有效地减少电力转换中的损耗，是一种变相的省电。

但传统的硅基电源模块和电源管理芯片面临着一个迫切的问题：AI的计算任务不像传统服务器那样平稳，它更像一场随时可能爆发的“脑力冲刺”，需要电源能在瞬间提供高达平时两倍的电力，并且稳定不波动。

经过多年的开发后，硅基芯片的技术已然非常成熟无限接近其物理极限。然而随着AI服务器电源对于转换效率的要求越来越高，硅基芯片已经显得有些“过时”。

在这样的背景下，业界将目光投向第三代半导体材料，特别是GaN(氮化镓)。与传统的硅材料相比，氮化镓具有更高的电子迁移率(约1500 cm²/V·s，远超硅的1400 cm²/V·s)、更宽的禁带宽度(3.4 eV，是硅的3倍以上)和更强的耐高温性能，理论上能够实现更高的开关频率、更低的导通损耗和更小的器件体积。

这意味着采用GaN技术的电源，能在更小的体积里，以更少的自身损耗，更稳定地输送电力，直接击中当前AI数据中心“电不够用、电费太高、空间太紧”的三大痛点。

二、年省近3亿度电，九峰山GaN技术电源模块“显威”

当然，对于第三代半导体GaN技术在AI服务器电源中的应用来说，“实践才是检验真理的唯一标准”。

12月4日，九峰山实验室公开了面向超大型AI算力中心的高功率氮化镓电源模块方案，完美地诠释了GaN技术电源模块在AI服务器电源应用上的优势。

根据其披露的信息，这个GaN电源模块只有指甲盖大小，并且如果将100万个这样的GaN电源模块，集成部署于一座1吉瓦(10亿瓦)容量的AI算力中心，每年可节约近3亿度电(日均超82万度)!

并且这个项目已经完成了关键的概念验证，正稳步迈向中试验证阶段，预计在未来3-5年内实现量产，直指AI服务器电源千亿级的市场需求。

三、“同志仍需努力”，国产GaN半导体任重道远

不过凡事都有两面性。GaN材料这样的三代半材料应用于AI服务器电源模块后，带来的能效提升固然让人欣喜万分，但也同样要对这项技术说一句“革命尚未成功，同志仍需努力”。

在消费电子领域，国产GaN材料技术已取得初步成功，比如手机快充充电器、笔记本电脑适配器等;然而在对可靠性、寿命要求极高的数据中心和工业领域，其大规模应用仍需时间验证。

未来几年，GaN材料电源技术在AI算力中心的应用将面临几个关键考验：

可靠性与寿命验证： 数据中心电源需要满足7×24小时不间断运行、使用寿命超过10年的严苛要求。GaN器件在长期高温、高功率工况下的可靠性表现，需要通过大量实地运行数据来验证。

成本与供应链问题： 尽管GaN材料有潜在的成本优势，但当前的制造良率、衬底材料成本以及封装测试等环节的成本控制，仍是影响其大规模商业化的重要因素。

系统集成挑战：高效率的GaN材料器件需要与之匹配的驱动电路、拓扑结构和控制策略，才能真正发挥其性能优势。这需要电源系统设计、热管理、电磁兼容等多方面的协同创新。

从更宏观的视角看，AI服务器的能耗问题不可能只靠GaN技术就能解决。芯片级能效提升、液冷等先进冷却技术、余热回收利用、智能化能源管理以及清洁能源接入等多个维度的协同创新都十分重要。

这并不意味着以GaN材料为代表的第三代半导体技术不重要。相反，在中国半导体目前仍落后于西方国家的背景下，第三代半导体技术将会是国产替代一个很好的“换道超车”契机。

毕竟，第三代半导体避开了传统硅基芯片的制程封锁，凭借中国在新能源等领域的巨大市场和完整产业链，以应用需求定义技术路线，完全有望实现从材料到系统的自主突破和产业升维。

目前，中国在第三代半导体领域的研发投入持续增加，多地已布局相关产业链。这种分散化的研发格局有利于技术路线的多元探索，但也可能面临资源分散、重复投入的挑战。

如何形成GaN材料产学研有效协同、构建健康的产业生态，将是决定中国在该领域能否实现实质性突破的关键。