一、总览

上海贝岭是国内领先的模拟与数模混合集成电路供应商，产品覆盖电源管理、信号链与功率器件三大领域。电机作为工业与消费电子的“动力心脏”，广泛应用于电动工具、电动车控制器、无人机、伺服变频、跑步机、工业缝纫机等场景。面向中低压与高压电机驱动需求，上海贝岭提供从SGT MOSFET、IGBT单管/PIM/IPM到栅极驱动、电源管理与信号链IC的全链路产品配套，助力客户打造高效、可靠的电机驱动系统。

图1：中低压电机驱动系统典型框图

图2：高压电机驱动系统典型框图

二、中低压电机驱动场景SGT MOSFET产品介绍

30V/40V SGT MOSFET产品介绍

贝岭30V/40V系列SGT MOSFET基于贝岭在GTA建立的最新低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及HDP工艺：红磷衬底的电阻率只有砷衬底的1/3，可以显著降低衬底电阻；HDP工艺可以制得高密度元胞，优化电容和栅极电荷，降低沟道电阻及整体导通电阻。得益于精心调试的工艺和元胞尺寸，高密度元胞并没有额外增加应力，晶圆基于常规减薄技术可以实现100um及以下厚度规格，显著降低了衬底电阻和芯片的比导通电阻，提高了电机驱动应用产品竞争力。

30V/40V SGT MOSFET产品图片（封装形式）

60V~150V SGT MOSFET产品介绍

上海贝岭60V~150V系列SGT MOSFET基于GTA最新的中低压SGT工艺平台，采用多层外延技术优化电场分布，弥补电场缺失部分，因此实现应用更高掺杂浓度的EPI也能保持BV不掉，从而显著降低了导通电阻。其中60V~100V系列得益于工艺、版图和元胞结构的协同设计，在实现高密度元胞的同时晶圆也可以减薄至100um(非taiko)，有效降低了衬底电阻。150V系列则采用HDP工艺制备高密度元胞，通过结构的设计实现了导通电阻和栅极电荷的平衡调谐，针对不同电机驱动应用需求可以定制化实现不同的电性参数。

60V~150V SGT MOSFET产品图片（封装形式）

三、 高压电机驱动场景IGBT单管、PIM、IPM产品介绍

IGBT单管

650V 10A~75A系列IGBT基于贝岭第4代Trench FS IGBT工艺平台，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力；终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

650V 5A及80A~200A系列IGBT基于贝岭第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vcesat和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力；终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

IGBT单管产品图片（封装形式）

PIM产品介绍

上海贝岭 PIM（功率集成模块）基于公司先进的IGBT芯片平台，提供34mm、62mm、Easy1B、Easy2B等标准封装形式，覆盖半桥、I型三电平、六单元、七单元等主流拓扑，电压等级涵盖650V、1200V，电流范围15A~600A，频率覆盖中低频、中频与高频。产品广泛应用于商业电磁炉、UPS、光伏逆变器、工业电源、变频器及OBC等场景，以高功率密度、低杂散电感和优异的热管理性能，满足各类功率变换系统对小型化、高可靠集成方案的电机驱动应用需求。

PIM产品图片（封装形式）

IPM产品介绍

上海贝岭IPM（智能功率模块）将IGBT/MOSFET芯片与驱动、保护电路高度集成于一体，提供DIP24-HL、DIP25-HL、DIP26-HL、SOP23、DIP29-HL、SIP35等多种封装形式，支持三相全桥、二合一拓扑，芯片类型涵盖IGBT与MOS，电压覆盖500V、600V/650V及1200V，电流5A~35A，适用于中低频应用。产品广泛应用于空调外机、工业风机、厨电、高速风筒、主动悬架、压缩机等场景，内置驱动与保护功能可显著简化电机驱动系统设计、提升可靠性，是家电与工业电机驱动应用的高性价比之选。

IPM产品图片（封装形式）

四、 电机驱动系统贝岭IC器件配套

在电机驱动系统中，主功率变换链与配套IC缺一不可。上海贝岭依托全面的模拟芯片产品线，为系统提供一站式IC配套方案：电源管理芯片（PWM控制器、DC-DC转换器、LDO及稳压器）为控制电路、传感器与接口提供稳定洁净的各级供电；信号链芯片（隔离接口、运算放大器、EEPROM等）承担信号隔离、调理、通信与数据存储功能。配套IC与SGT MOSFET、IGBT等主功率器件协同工作，共同构筑高性能、高集成度的电机驱动平台。

表1：上海贝岭电机驱动应用选型表