深圳劲芯推Qi无线充电发送端控制器芯片-哔哥哔特商务网

深圳劲芯推Qi无线充电发送端控制器芯片

2013-05-07 11:13:53 来源：网络点击：2438

摘要： 深圳劲芯微电子推出了国内首颗符合Qi标准的无线充电发送端控制器芯片CV90311T。

CV90311T集成了信号处理、解调、Inverter driver(逆变驱动)以及过流、过压、过热保护电路，单一5V供电，集成度更高，器件数量较竞争对手方案减少了40%，外围电路简洁，PCB面积更小，整体成本更低，更适合空间要求高的场合。

CV90311T芯片采用具有自主知识产权电路设计，保证了MOSFET导通电阻更小，提供比Qi标准高2倍的单步频率、脉宽调整量，调整更加精准。系统转换效率高达75%，最大发射功率高达7.5W。

芯片采用36脚6mmx6mm QFN封装，采用CV90311T设计的5V输入的A5、A11整体解决方案，元器件少，方案成熟，已批量生产。

本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；

阅读延展

MOSFET 过热保护

上海贝岭电机驱动系统全场景产品配套方案

面向中低压与高压电机驱动需求，上海贝岭提供从SGT MOSFET、IGBT单管/PIM/IPM到栅极驱动、电源管理与信号链IC的全链路产品配套，助力客户打造高效、可靠的电机驱动系统。
功率半导体厂商捷捷微电发布三季报！

10月22日晚间，功率半导体厂商捷捷微电发布第三季度财报，利润大幅度增长，MOSFET业务比重上升成为基本盘之一。
一家安世半导体，两条供应链

荷兰安世半导体正在印度补一条新的MOSFET制造链。荷兰安世半导体与印度塔塔电子宣布合作：MOSFET半导体计划导入印度在建的12英寸晶圆厂，分立器件则计划在Jagiroad封装测试。
αMOS E2™ 600V超结MOSFET：以先进封装与增强型体二极管，提升电源能效

日前，AOS，纳斯达克代码：AOSL，正式推出了其全新 aMOS E2™ 600V 超结 MOSFET 平台的顶部散热产品。
AmpStack™ 封装：MOSFET 功率密度实现跨越式提升

AOS今日推出AOPL66801 80V MOSFET，采用半桥配置，并搭载先进的DFN6x5 AmpStack™ MOSFET封装技术。全面赋能从下一代兆瓦级AI数据中心到日常电动工具等广泛功率转换场景。
复牌！这一国产功率半导体企业拟并购

国内功率半导体整合加速，半导体企业银河微电拟全资收购恒泰柯半导体，补强中高压超级结MOSFET技术，从低压厂商向全电压功率器件跃迁。此举折射行业从单点突破转向整合替代，中高压赛道国产替代空间明确，设计制造协同将成半导体企业竞争关键。

明微无电解电容高PF、低THD LED线性恒流方案

SM2087是高功率因数线性恒流LED驱动芯片，无需变压器和电解电容，系统结构简单，可与LED灯组共用PCB板，实现LED照明方案批量化作业。并且具有负温度系数及过热保护功能，使用寿命长。系统效率高达90%，PF大于0.98，THD小于20% ，芯片应用系统易过EMC、EMI。
IGBT保护电路设计总结

本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。
L4970A在大功率集成开关电源原理与应用

L4970A 的内部功能电路主要包括基准电压源，锯齿波发生器，内置40kHz 振荡器，欠压检测与过热保护电路，误差放大器，比较器，PWM锁存器，或非门，触发器(由两级或门构成) , 驱动级，DMOS 开关功率管，限流比较器，软启动电路，掉电复位电路。
立锜科技推出DC-DC降压转换器RT7297C

立锜科技(Richtek)日前提供一款高效率同步直流对直流降压转换器RT7297C，它在4.5V~18V之输入电压范围可提供最大3A电流输出，其电流控制模式及外部补偿电路使得在轻重载瞬时反应可以得到适度的微调，另外逐一周期电流限制提供短路保护，外部缓起动机制消弭起动之涌浪电流， RT7297C也提供UVP输出过低电压保护及OTP过热保护，在停机模式下所需消耗电流小于3μA ，非常适
基于PPTC保护的大功率LED照明设计

对于开发大功率LED照明解决方案的厂家来说，遇到的最大设计挑战是散热设计和过热保护，LED光源对热敏感性强的难题对于他们来说必须攻克，因为热量过多或应用不当都会使LED光源的性能大打折扣。
三相稳压逆变电源模块采用输入输出隔离的方案

该三相稳压逆变电源模块采用 DC/AC/工频变压器两级功率变换架构，具有过欠压、过流及过热保护功能，控制芯片HT3117，驱动芯片IR2110，该模块采用输入输出隔离的方案。