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Microsemi为非穿通型IGBT系列增添十多款全新器件

2013-04-07 11:30:51 来源：大比特商务网点击：2113

摘要：美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through， NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。

关键字： 美高森美，IGBT，解决方案

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through， NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。

美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用，最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器，以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8技术为基础，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。

美高森美新的NPT IGBT 解决方案与该产品系列中的所有器件相一致，可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：

· 与同类器件相比，栅极电荷显著减少，具有更快的开关性能;

· 硬开关运作频率超过80KHz，实现高效的功率转换;

· 易于并联(Vcesat的正温度系数)，提升大功率应用的可靠性

· 额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time Rated， SCWT)，在需要短路能力的应用中实现可靠运作

除了器件优势之外，美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装，可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。

封装和供货

美高森美的1200V NPT IGBT产品系列现在包括20多款器件，额定电流有25A、40A、50A、70A和85A，IGBT产品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封装供货。

新器件现在正在生产，要了解更多的信息，或获取产品样品，请发送电邮至sales.support@microsemi.com，或者联络当地分销商和美高森美销售代表。

关于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 为通信、国防与安全、航天与工业提供综合性半导体与系统解决方案，产品包括高性能、耐辐射的高可靠性模拟和射频器件，可编程逻辑器件(FPGA)可定制单芯片系统(SoC) 与专用集成电路(ASIC);功率管理产品、时钟与语音处理器件，RF解决方案;分立组件;安全技术和可扩展反篡改产品;以太网供电(PoE)IC与电源中跨(Midspan)产品;以及定制设计能力与服务。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo，全球员工总数约3，000人。

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