20纳米工艺技术 三星4Gb移动内存开始量产
2013-05-03 11:56:07 来源：大比特电子变压器网 点击：1657
摘要： 几个月前三星开始推出30纳米工艺的LPDDR3移动内存，现在该制造商似乎要将手机行业带往更高的水平--开始量产超快速的20纳米工艺技术的4Gb LPDDR3 DRAM。
几个月前三星开始推出30纳米工艺的LPDDR3移动内存，现在该制造商似乎要将手机行业带往更高的水平--开始量产超快速的20纳米工艺技术的4Gb LPDDR3 DRAM。
三星20纳米工艺技术的4Gb LPDDR3 DRAM开始量产
据三星称，4Gb LPDDR3 DRAM数据传输速度高达2133Mbp/每引脚，传输性能是之前移动内存标准LPDDR2 800Mbps的2倍以上。它能在一秒内将三部全高清总容量高达17GB的影片存入设备中。与30纳米工艺的LPDDR3 DRAM相比，新设备效能将提升30%以上，电量节省20%。
尽管手机设备一直在减重，但是电池体积却一直在增长。如果采用三星4Gb LPDDR3 DRAM，原始设备制造商能将2GB的封包，达成1个高度仅为0.8毫米的封包，其中包括四个三星4Gb LPDDR3移动芯片，为电池腾出更多的空间。
三星还表示，为了加强内存记忆体的业内领先优势，三星还将于今年晚些时候增加20纳米工艺的4Gb LPDDR3 DRAM的产量。
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