Spansion 起诉旺宏电子侵犯其专利权-哔哥哔特商务网

Spansion 起诉旺宏电子侵犯其专利权

2013-08-15 11:11:56 来源：大比特半导体器件应用网

【哔哥哔特导读】2013年 08 月 15 日，中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)今日宣布起诉台湾旺宏电子股份有限公司，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列广泛且不断扩大的存储产品中，过往以及当前持续侵犯 Spansion 的诸多专利。Spansion 分别向美国国际贸易委员会(ITC)与北加利福尼亚州联邦地区法院递交了起

摘要： 2013年 08 月 15 日，中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)今日宣布起诉台湾旺宏电子股份有限公司，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列广泛且不断扩大的存储产品中，过往以及当前持续侵犯 Spansion 的诸多专利。Spansion 分别向美国国际贸易委员会(ITC)与北加利福尼亚州联邦地区法院递交了起诉书。

涉案的六项专利主要与闪存芯片的制造与结构，以及存储单元保护相关。

电子游戏设备卡盒、数码相机、网络设备、机顶盒、笔记本和平板电脑等消费电子设备的市场价值超过数十亿美元，而闪存是其中的关键组件。Spansion 在闪存方面的研发投资已超过数十亿美元，拥有超过4000项闪存专利与专利应用。

该诉讼案所涉及的专利仅占 Spansion 知识产权库很小的比例。

Spansion 在 ITC 的诉讼案要求将所有侵权的旺宏闪存设备及其下游产品排除出美国市场。在本次诉讼中，依据 ITC 的现有程序，除本案的主要被告旺宏电子股份有限公司外，Spansion 还列出了若干包含旺宏侵权产品的下游产品生产商名录。

本文由大比特收集整理（www.big-bit.com）

本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；

阅读延展

专利闪存芯片

英飞凌起诉英诺赛科专利侵权

英飞凌就其GaN相关的美国专利对英诺赛科提起诉讼，目前正在寻求永久禁令！
USB-A/C融合端口这家企业能做到7A

拿下9项专利的USB-A/C融合端口？！步步精在产品研发上有何经验分享？
连接器企业很有必要关注福特新专利
京泉华获电子变压器损耗检测方法及系统专利

近日，京泉华获得了电子变压器损耗检测方法及系统发明专利证书，这也暴露了目前电子变压器性能检测存在不可靠的问题。
共模电感新专利助推电源降本增效

传统磁环共模电感直脚形态易影响插件效率及容易虚焊，长瑞智造通过创新设计，通过折脚限位固定代替传统点胶，助推电源降本增效。
浅谈高质量专利的培育及管理

近年来，随着知识产权战略的深入实施，我国专利申请数量不断增长，这是我国知识产权事业发展的必然趋势，也为我国知识产权事业发展奠定了坚实的基础。与此同时，我国专利“大而不强，多而不优”的问题也日益突出。高价值专利概念应运而生，本文看就此展开了研究。

三星成功挑战半导体技术极限

三星电子近日表示，已在全球最先开始量产突破半导体技术极限的新概念3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D Vertical NAND, 3D V-NAND)。
MCU市场变化都指向两个“超现实”问题

MCU市场波澜再起。国内闪存供应商兆易创新近日发布基于ARM CortexTM-M3内核GD32F103系列32位通用MCU产品。与此同时，富士通子公司富士通半导体宣布退出MCU业务，作价约1.1亿美元以及6500万美元库存卖给另一闪存芯片供应商Spansion(飞索)。一进一退之间的MCU市场变化都指向两个“超现实”问题：一是闪存厂商进入MCU市场有何优势?二是国内厂商在32位MCU市场到底有多
MCU波澜再起进退之间市场生变

MCU市场波澜再起。国内闪存供应商兆易创新近日发布基于ARM CortexTM-M3内核GD32F103系列32位通用MCU产品。与此同时，富士通子公司富士通半导体宣布退出MCU业务，作价约1.1亿美元以及6500万美元库存卖给另一闪存芯片供应商Spansion(飞索)。一进一退之间的MCU市场变化都指向两个“超现实”问题：一是闪存厂商进入MCU市场有何优势?二是国内厂商在32位MCU市场到底有多
中微确立存储芯片干法刻蚀领域市场地位

中微半导体设备有限公司称已研发成功第二代单反应台等离子体刻蚀设备。该设备能够用于加工要求最为严格的半导体器件。在不到一年的时间里，中微的Primo SSC AD-RIE刻蚀设备在韩国领先的半导体制造企业中完成了20纳米及以下关键闪存芯片的生产验证。
美光发布全球最小128GB NAND闪存芯片

闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
惠普Violin Memory固态存储设备将停销

虽然与固态存储设备相比，将数据存储在闪存芯片的成本仍然较高，但一些企业的IT主管认为值得支付更高的成本，因为对于社交媒体和银行交易等网站来说，速度更为重要。