东芝推出第四代超级结MOSFET “DTMOS IV”系列
2013-08-26 15:18:21 来源：大比特半导体器件应用网 点击：1213
摘要： 东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出第四代超级结MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作为该系列的首款产品，“TK14A65W”已经推出，并计划于2013年8月全面投入量产。
东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出第四代超级结MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作为该系列的首款产品，“TK14A65W”已经推出，并计划于2013年8月全面投入量产。
该MOSFET系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RonA)较现有的650V “DTMOSII”系列产品约降低了50%[2]，这就使之能够采用紧凑封装，有助于提高功效，缩小产品的集成尺寸。
主要规格
产品型号封装绝对最大额定值RDS(ON)
最大值(Ω)Qg
标准值
(nC)Ciss
标准值
(pF)
VDSS(V)ID(A)VGS=10V
TK14A65WTO-220SIS65013.70.25351300
注：
[1] 截至2013年7月。东芝公司的研究。
[2] 与“TK17A65U”对比。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。
由安世半导体引发的MOSFET供应危机，正重构全球汽车产业链。这迫使各国重新审视半导体供应链安全，同时也成为中国车规级MOSFET实现国产替代与自主发展的关键催化。
低空经济风起。深圳安森德半导体精准卡位，其专为无人机打造的MOSFET产品，具有超越国际竞品的优异性能，正以高性能的“中国芯”驱动无人机产业新未来。
安世半导体停摆，全球车企陷入“缺芯潮”，国产车规MOSFET是否真的迎来曙光?
本应用简报介绍TI GaN器件如何改进光伏充电控制器。与MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并减小PCB尺寸，而且不会增加BOM成本。
第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析，请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”，或用手机扫描左方二维码，即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验，并参与活动！
发表评论
订阅号
服务号
视频号
抖音号
哔哥哔特商务网
重视商业和技术性活动在推动行业服务工作方面
的重要作用，并与相关行业组织密切合作关系。
