电池记忆效应是指如果电池属镍镉电池，长期不彻底充电、放电，易在电池内留下痕迹，降低电池容量的现象。电池好像记忆用户日常的充、放电幅度和模式，日久就很难改变这种模式，不能再做大幅度充电或放电。

分享移动电源维修的四个方法。

根据学会的工作计划安排，将于2018年8月在福建南平市召开“2018年第八届中国功率变换器磁元件联合学术年会”，会议主题围绕各类功率变换器磁元件的分析、设计、应用、测试、工艺以及磁材料等。欢迎广大磁元件、磁材料以及电源领域的技术、科研和管理的专家学者企业家积极投稿。

由中国电源学会磁技术专委会和中国电子学会元件分会电子变压器技术部联合主办、大比特资讯机构承办、北京创四方电子股份有限公司协办的中国功率变换器磁元件领域技术和学术交流大会——2018年第八届中国功率变换器磁元件联合学术年会——将在福建南平市建阳区西城国际大酒店举行。

氢氧燃料电池是以氧气作为氧化剂，以氢气作为燃料，然后通过燃料的各种化学反应，进而将产生的化学能转化为电能有一种电池。

动力电池系统4种冷却方式：自然冷却、风冷、液冷以及直冷。

电源线在电线电缆行业来说，用量是很大的，比如机械设备用电源线，家装用电源线、电器、充电装置、照明、仪器仪表等等都是离不开电源线的使用。

目前市场上QI标准无线充芯片方案众多，首先我们先了解普通无线充芯片方案和QI标准无线充芯片方案的区别。

目前，由于开关电源[1]效率高，小型化等优点，传统的线性稳压电源、晶闸管稳压电源逐步被直流开关稳压电源所取代。开关电源主要的控制方式是采用脉宽调制集成电路输出PWM 脉冲，采用模拟PID调节器进行脉宽调制，这种控制方式，存在一定的误差，而且电路比较复杂。

功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器件的另一种应用方式，即有隔离变压器存在的互补驱动电路，进行简要分析。

近来， LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。

近年来，中国新能源汽车在国家政策的扶持下一路高歌猛进，在刚刚过去的2017也毫不意外的交出了一份令人满意的成绩单。数据显示，2017全年新能源汽车的产销辆分别达到了79.4万辆和77.7万辆，同比增长分别达到了53.87%和53.3%。前瞻产业研究院分析师预计，2018新能源汽车销量将会达百万，2018将是新能源汽车“破百”

由大比特资讯和央视发现之旅频道的《品质》栏目联合主办的“2017’艾森杯第七届大中华区电子变压器电感器电源适配器行业评选”自12月21日进入投票阶段以来，累计总投票数已近30万。

近期，小狗电器互联网科技(北京)股份有限公司召回了“小狗”牌智能吸尘器3185件。据国家质检总局官网消息，该产品被召回的原因系电源适配器的保护阻抗仅由单一元件构成，存在缺陷，不符合GB 4706.1-2005和GB 4706.7-2014标准第22章要求。

电流在电感元件中作功时，电流超前于电压90℃。而电流在电容元件中作功时，电流滞后电压90℃。在同一电路中，电感电流与电容电流方向相反，互差180℃。

1月22日，国家能源局发布了2017年官方太阳能统计数据，我国2017年共安装了52.83千兆瓦(GW)的太阳能新产能，创下历史新高。

近日，LG和富士通手机业务相继宣布退出中国市场的消息不胫而走，在中国市场落得如此下场，令人唏嘘不已。此番退出，不仅对其他手机品牌带来警示作用，对国内众多与LG和富士通友好合作的磁件企业同样造成不小的影响。

关于移动电源国家标准：几个关键问题解答。

小型RF电感器被使用于手机为主的RF电路中，小型RE电感器按照工艺方法不同可以分为三个类型的电感器。电感器类型不同，特征也不一样，本次将介绍电感器的特征和选择要点。

近日，苹果的智能音箱HomePod终于上市了，最早发货日期为2月9日。作为音响系统的“前锋型”产品，智能音箱的热销无遗也彰显了音响市场的兴起。在经历了过去几年的低迷之后，自2017年下半年起，音响市场重燃生机，预计2018年增速将高达19%，而与音响息息相关的电感、环形变压器、电源变压器等产品也将随之发展

近些年随着电子产品的更新迭代速度越来越快，消费类电子终端产品不断走向“小型化、集成化、多功能化、大功率化等的发展方向；在电感行业的美商Vishay握有的Molding专利将于2017年到期解禁之际，加之目前传统功率电感的局限性。

对于电压型驱动器件的 IGBT 而言，主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数。本文主要是探讨这些参数如何影响IGBT开关性能，由此选择出合适的驱动参数，从而优化IGBT开关性能。