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华虹NEC 非外延0.35um BCD工艺进入量产

2009-08-19 17:00:42 来源：Semiconductor Components Application 点击：1267

(2009-08-19)
（上海，中国—2009年8月19日）世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，公司非外延0.35um BCD工艺开始进入量产。
华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工艺。针对市场的不同需求，华虹NEC现又推出了非外延工艺的 0.35um BCD工艺，即PMU350工艺。PMU350在BCD350的基础上用deep Nwell替代了外延层，并简化了工艺流程，使该工艺更具竞争力。目前，PMU350工艺已经顺利通过了产品验证，进入量产。
华虹NEC PMU350工艺主要面向电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域，该工艺的标准配置包括3.3V/5V的CMOS，12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP双极管。此工艺同时还提供高精度的电阻、高密度的电容及一次性可编程器等多种器件以方便客户选用，是LED驱动芯片、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池保护和充电保护芯片的最佳工艺选择之一。
华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士表示，PMU350工艺的成功量产，将为客户提供更多的工艺选择。为了持续不断地在该平台上推出下一代工艺来满足客户需求，华虹NEC已经在开发0.18微米 BCD技术平台，以期为客户的电源管理和SOC芯片提供更高端的技术，填补大陆代工市场的空白，成为BCD领域的领航者！

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