北京2009年10月15日电 /美通社亚洲/ -- Analog Devices， Inc.，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出设计用于 LTE（长期演进）和第四代（4G）蜂窝基站的高集成度 RF IC（射频集成电路）系列。LTE 是 UMTS（通用移动电信系统）标准的增强版，它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终极阶段。

    当今社会，移动通信已逐渐成为人类生活不可缺少的部分，人们需要利用移动通信来进行随时随地沟通。同时，随着手机用户数与全球无线基础设施建设的快速增长，这就要求基站必须提升数据流容量（蜂窝容量），因此对射频电路的集成化以及成本都提出了更高的要求。为解决射频卡的高密度集成问题，ADI 公司推出的新型 ADRF660x 系列混频器与 ADRF670x 系列调制器将多个分立功能模块集成到单个器件，并能满足更高容量基站所需要的严苛性能，实现了这些高密度射频卡。通过这种前所未有的集成度，基站制造商可以将电路板空间显著缩小60%，并大幅降低材料清单成本。

    随着全球移动运营商向4G 技术演进，需要具有小外形尺寸的更高密度射频卡，以支持提供连续语音和高数据速率服务。如果说中国3G 牌照的发放是一个令人振奋的机会，那么，我国在4G 技术的部署和研发也必将大大加快射频集成电路产品供应商迈向4G 的步伐。我国启动4G 研发已经有5年的时间，为了达到4G 网络所需要达到的速率要求，4G 至少需要3倍于现有基站的数量。如上海已经启动了研发4G 的科研项目，2010年世博会前预计可新建近千个基站。以目前国内3G 运行的状况，也有专家建议中国有跨过3G 直接上4G 的可能性。因此，可以预测4G 将拥有庞大的用户市场。4G 市场的发展及潜在需求需要有可实现高密度射频卡的新型高集成度 RF 混频器和调制器，从而提升 LTE 和4G 基站的容量和速度。ADI 公司为迎合该契机，推出了用于4G 蜂窝基站的突破性射频集成电路产品系列。ADI 一直秉承设计创新的理念，同时非常期待继续为这个快速成长且充满活力的市场服务。

    “如今的3G 和 LTE 基站采用许多标准分立 RF 器件来优化发送和接收 RF 信号通路的性能，ADI 公司的新型 ADRF660x 和 ADRF670x 产品系列将射频转换功能模块整合到一个集成电路中，并且不牺牲性能，”ADI 公司线性 RF 产品部副总裁 Peter Real 表示，“这些新型器件采用 ADI 的 PLL/VCO 合成器、混频器和调制器技术，可以为较小外形尺寸和较高密度的宏、微和微微蜂窝基站提供业界领先的相位噪声性能、功耗和线性度。”

    关于 ADRF660x 和 ADRF670x 系列

    新型 ADRF660x 和 ADRF670x 系列均提供四款引脚兼容的器件，覆盖常用的蜂窝2G、3G和 LTE 频段，并通过集成可实现支持所有蜂窝频段和空中接口标准的公共外形尺寸 PCB（印刷电路板）设计，可简化系统设计。

    四款 ADRF670x 产品将高动态范围模拟 I/Q 调制器、RF 输出开关和 PLL（锁相环）与集成式 VCO（压控振荡器）集成在一个紧凑型 RFIC 中。其调制器输入带宽为500 MHz，能支持规定的频段或复杂的 IF 上变频发送信号通道。此外，调制器输出支持用于宽带多载波 LTE 应用的线性高输出功率水平。 

    四款 ADRF660x 产品将高线性度有源RF混频器、用于单端50欧姆输入的 RF 输入巴伦以及 PLL 合成器与集成式 VCO 整合到一个紧凑型 RF 电路中。其有源混频器提供6 dB 的电压转换增益，相比同类竞争性无源混频器，可减少对额外的 IF 放大的需求。差分 IF 输出支持高达500 MHz 的最高 IF 频率。ADRF660x 系列可用于接收器通道下变频和发送通道观测接收器应用。

    这八个器件都具备一个公共的 SPI 控制接口，并且软件兼容。集成式 PLL 是设计用于支持LTE的100 KHz信道栅的多模小数N分频合成器，可提供业界最低的带内相位噪声。为获得更高的灵活性，所有器件都提供缓冲的本振 (LO) 输出，并支持使用外部 VCO。