应用材料公司推出Centris™刻蚀系统,开启智能高产芯片制造新纪元
2010-12-01 15:39:37 来源:大比特半导体器件网 点击:1041
新型智能主机平台架构为设计更加复杂、体积更小的芯片创造了条件
系统的智能化确保每片硅片得到埃(10-10米)量级的一致性处理
刻蚀速率几乎是任何其它硅刻蚀系统的两倍,最多可将拥有成本(CoO)降低30%
2010年11月30日——应用材料公司今天宣布推出强大的Applied Centris AdvantEdge Mesa刻蚀系统,它是面向世界上最先进的存储和逻辑芯片的批量生产而推出的智能化程度最高、速度最快的硅刻蚀系统,开启了芯片制造的新纪元。结构紧凑的Centris系统以前所未有的方式装配了8个反应腔,即6个刻蚀反应腔和2个刻蚀后清洁腔,每小时可处理多达180片硅片,最多可将单片硅片的制造成本降低30%。拥有知识产权的系统智能软件确保每个反应腔的每个工艺流程精确匹配,从而使每片硅片的一致性达到埃(10-10米)量级,满足了实现未来高度复杂芯片高良率生产的关键要求。
“全新Centris主机平台的推出将彻底转变半导体行业增长最快的硅刻蚀领域的格局。先进微芯片的极其微小的集成电路需要越来越多的关键刻蚀步骤,”应用材料公司副总裁兼刻蚀事业部总经理Ellie Yieh表示,“全新Centris平台和我们世界一流的AdvantEdge Mesa技术的结合是一个很好的典范,体现了我们以客户为导向的创新产品如何帮助公司在刻蚀市场的多个应用领域取得快速发展。”

Centris平台
Applied Centris AdvantEdge刻蚀系统同样为绿色工艺开辟了一条新的道路。和市场上现有的硅刻蚀系统相比,该系统每年减少的耗电量、耗水量和耗气量相当于减排60万磅二氧化碳1,Centris系统可帮助芯片厂商降低运营成本,支持他们可持续的生产规划。

Centris平台

在中国北京时间11月30日上午9:30,应用材料公司将通过网络直播探讨这一突破性技术(www.appliedmaterials.com/events/becauseinnovationmatters)。在日本千叶举行的“SEMICON Japan 2010”期间,应用材料公司将发布包括Centris平台在内的多项重大技术。更多信息(包括多媒体资料)可通过应用材料公司在展会期间开通的网站获取。
本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载,否则将严格追究法律责任;
12月6日,本届国际电子器件大会(IEDM 2025)于旧金山召开,中国半导体力量成为聚光灯下的焦点。在全球顶尖学术舞台上,中国机构合计贡献了101篇入选论文。
再获融资、半年吸金超10亿!众擎机器人凭什么成为“国家队”和多方产业巨头的香饽饽?一脚踹倒老板的T800又给国产半导体产业链带来了什么影响?
GaN是一种新型的半导体材料,它是氮和镓的化合物,也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大(3.4eV)、绝缘破坏电场大(2×106V/cm)及饱和漂移速度大(2.7×107cm/s)等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
日均省电超82万度!GaN电源模块破解AI服务器“电荒”难题,年省电近3亿度。国产第三代半导体加速落地,成为AI算力中心节能增效与换道超车的关键突破。
江苏芯长征微电子集团股份有限公司依托芯片设计、模块封装、检测设备自主可控的垂直产业链,以Virtual-IDM模式打造高适配性功率半导体产品,为两大领域提供可靠器件支撑。
思瑞浦并购创芯微后,三季度电源管理IC业务营收猛增逾323%。日前又高调“加码”宣布收购奥拉半导体,意欲何为?

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论