IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT
2011-09-07 16:52:52 来源:半导体器件应用网 点击:1108
摘要: 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术,可显著降低开关及传导损耗,从而在较高频率下提升功率密度和效率。这些器件不仅为无需短路功能的应用进行了优化,如不间断电源、太阳能逆变器、焊接等应用,而且为电机驱动应用提供10微秒短路功能,与其它IR产品相辅相成。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR全新超高速1200V沟道IGBT系列具备多种性能优势,有助于提升系统的效率;同时通过降低开关的损耗及提高开关频率,减少散热器的尺寸与磁元件的数量,从而降低整体系统的成本。”
新系列包括电流介于 20A 和50A 之间的封装器件,以及高达 150A 电流的裸片产品。其主要优势包括宽方形反向偏压安全操作区(RBSOA)、正VCE(on)温度系数,以及用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件还可内置/不内置一个超高速软恢复二极管。裸片更配备焊前金属(SFM),以提高热性能、可靠性及效率。

专利和商标
IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

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