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Intel研发新技术,可大幅减少漏电情况
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Intel研发新技术,可大幅减少漏电情况

2005-04-15 09:02:04 来源:电脑商情报

【哔哥哔特导读】Intel研发新技术,可大幅减少漏电情况

中国台北消息,Intel在IDF上宣布其已成功在处理器中采用High-K技术,以减少处理器的漏?情况。

  据称,现在采用的SIO技术与High-K比较,如果SIO技术的漏电比为1,那么High-K有可能是0.01,因此它可令处理器更?快,也增加了处理器频率的提升能力。

  
Intel表示,预计将在2007年的45nm工艺下使用该技术。

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