DRAM呈止跌回稳态势 明年内存要大涨
2012-12-20 16:03:32 来源：mydrivers
摘要： 受到DRAM现货价格上涨的激励，12月上旬DRAM合约价也跟着上扬，DRAM止跌回稳态势可望确立，业界认为，受到供应厂商纷减产影响，估明年DRAM位成长仅达 20%，需求则约达30%，明年DRAM恐会出现短缺问题，有助带动价格回升到DRAM厂的获利空间。
受到DRAM现货价格上涨的激励，12月上旬DRAM合约价也跟着上扬，DRAM止跌回稳态势可望确立，业界认为，受到供应厂商纷减产影响，估明年DRAM位成长仅达20%，需求则约达30%，明年DRAM恐会出现短缺问题，有助带动价格回升到DRAM厂的获利空间。
DRAMeXchange调查指出，11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，但近期现货价上涨，激励12月上旬合约价也上扬，涨幅约介于1.25%到2.52%之间。
上涨幅度虽小，但代表PC系统厂库存降到健康水位，买货意愿逐渐提高。这是下半年以来，供过于求的DRAM首度出现合约价起涨。
DRAMeXchange表示，今年第3季各厂纷减产标准型DRAM，将生产重心转移到移动内存，即使还保留的部分标准型DRAM产能也正值制程转进，技术难度高，初期产出量也会受到影响，致使部分产品品项颗粒供货吃紧，带动价格攀升。
明年整体 DRAM产业的资本支出将较今年减少21%，市场估明年DRAM位成长仅达20%，较今年的近30%进一步减少，但以市场需求量约需达30%，展望后市，不仅DRAM供需趋平衡，明年恐还会出现短缺问题。
近期DDR3 2G虽已回到1美元，但以DRAM厂现有制程估算成本，估约需达1.5美元才有获利空间，即使目前价格上扬，DRAM厂仍呈现亏损，明年若价格掀涨势，回升到DRAM厂成本之上，厂商才可望有获利空间。
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根据TrendForce集邦咨询数据，预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨。存储芯片的整体涨势或将延续至明年第一季度。
受惠与全球5G市场的发展，再加上全球疫情趋缓，全球存储器事业逐渐恢复合理化。存储器需求以及价格都在增涨。全球DRAM市场格局三分天下，其中韩国企业在DRAM市场与NAND Flash市场中占据较大份额，可见韩国厂商在DRAM，NAND Flash两类数据存储器产业链影响力突出。
因为程序运行的输入数据集经营规模一直在扩大，所以我们就需要更高的DRAM容积才能满足我们的运行需求，但是，DRAM在容积增加的状况下，维持其效率比等就会非常困难，要想解决这一困难，我们应该怎么做呢？
2018年下半年开始，DRAM与NAND Flash的价格就持续走低，造成了存储器供给过剩、库存堆高等问题。
据经济日报消息称，联电内部协助福建晋华开发DRAM的团队在近期展开裁员行动，裁员人数估达上百人。这些被裁人员当中，一部分陆续找到新东家，另一部分回流台湾，回流台湾的人员将协助华邦电扩大自主研发阵容，这是2019年首批半导体人才从大陆回流台湾的事件。
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