东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器
2013-01-10 14:00:14 来源：网络 点击：1172
摘要： 东芝公司今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。新产品TLP250H的最大传输延迟时间为500ns，光电耦合器间的传输延迟偏差为150ns，这样的性能可减少逆变电路的死区时间(dead time)，提高效率。
东芝公司今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。新产品TLP250H的最大传输延迟时间为500ns，光电耦合器间的传输延迟偏差为150ns，这样的性能可减少逆变电路的死区时间(dead time)，提高效率。新产品使用了寿命超长的新LED，可支持-40°C至125°C的工作温度。此外，该耦合器可将最低工作电压降至10V(东芝此前型号的最低工作电压只可降至15V)，进而有助于降低功耗。该耦合器可应用于一系列产品中，包括高温环境中使用的工业设备，家用太阳能光伏发电系统，数码产品以及测量与控制仪器。该产品的样品现已推出，并计划于2月份投入量产。
应用
IGBT/功率MOSFET门驱动器，功率调节器，通用逆变器，IH(感应加热)设备，等等。
主要特性
1. 工作电压：VCC=10 - 30V
2. 传输延迟时间：tpLH， tpHL=500ns (最大值)
3. 传输延迟偏差：±150ns (最大值)
4. 宽广的保证工作温度范围：Topr=-40°C - 125°C
5. 峰值输出电流：IOP=±2.5A (最大值)
6. 低输入电流：IFLH=5mA (最大值)
7. 隔离电压：BVS=5000Vrms (最小值)
8. 共模瞬态抑制：CMR=±40kV/μs
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